[实用新型]倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片有效

申请号：	201821607940.7	申请日：	2018-09-29
公开（公告）号：	CN209947839U	公开（公告）日：	2020-01-14
发明（设计）人：	黄华茂;黄程;吴浩城;王洪	申请（专利权）人：	华南理工大学
主分类号：	H01L27/15	分类号：	H01L27/15;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/46;H01L33/00
代理公司：	44102 广州粤高专利商标代理有限公司	代理人：	何淑珍;江裕强
地址：	510640 广***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本实用新型公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片。本实用新型的LED阵列芯片，四个发光单元并联，正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体，光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外，整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本实用新型的制备方法，采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案，无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料，较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案，有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本实用新型的工艺流程简单、可靠。
搜索关键词：	本实用新型光子晶体半导体材料发光单元工艺流程电极刻蚀制备介质绝缘层金属反射镜金属连接线绝缘层隔离欧姆接触层倒装结构电极焊盘光子模式胶掩膜层介质掩膜金属电极条状介质芯片表面直接覆盖周期分布负电极平坦化上表面源区域正电极并联逸出源层沉积隔离
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【主权项】：

1.一种倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片，其特征在于：包括四个发光单元、正电极焊盘和负电极焊盘，所述正电极焊盘和负电极焊盘分布在发光单元的两侧，所述四个发光单元中相邻发光单元的正电极通过金属连接线依次并联连接，其中一端并与正电极焊盘连接，呈2 × 2阵列分布，所述发光单元的负电极与负电极焊盘连接在一起；从金属电极至光出射方向，所述发光单元的有源区域依次包括介质DBR、透明电流扩展层、P型掺杂GaN层、P型掺杂AlGaN层、量子阱层、N型掺杂GaN层、非故意掺杂GaN层、GaN缓冲层和宝石衬底；/n所述发光单元的正电极区域依次包括介质DBR、正电极、透明电流扩展层、P型掺杂GaN层、P型掺杂AlGaN层、量子阱层、N型掺杂GaN层、非故意掺杂GaN层、GaN缓冲层和蓝宝石衬底；/n所述发光单元的负电极区域依次包括介质DBR、负电极、N型掺杂GaN层、非故意掺杂GaN层、GaN缓冲层、以及蓝宝石衬底。/n

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摘要：根据一实施例的发光元件包括：第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元，各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；垫，电连接于所述第一发光单元至第三发光单元，从而能够使所述第一发光单元至第三发光单元独立地驱动；第二波长转换器，变换从所述第二发光单元发出的光的波长；以及第三波长转换器，变换从所述第三发光单元发出的光的波长，其中，所述第三波长转换器将光的波长变换为比第二波长转换器变换的波长更长的长波长，所述第二发光单元具有比所述第一发光单元更大的面积，所述第三发光单元具有比所述第二发光单元更大的面积。

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摘要：提供了发光器件和包括该发光器件的光源模块。所述光源模块包括：印刷电路板；发光器件，安装在印刷电路板上，并包括多个子阵列，所述多个子阵列中的每个子阵列包括多个发光单体；以及多个驱动芯片，安装在印刷电路板上，其中，所述多个驱动芯片中的每个驱动芯片分别驱动所述多个子阵列中的对应的子阵列，其中，所述多个子阵列彼此电隔离。

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摘要：本实用新型提供一种单片集成的无机LED显示器件，包括单件式衬底；所述单片集成的无机LED显示器件包括在该单件式衬底上形成的多个微LED子像素层结构和多个III‑V族电子器件层结构，每个微LED子像素层结构借助电导线电连接至相应的一个III‑V族电子器件的层结构，其中所述显示器件包括驱动IC或与驱动IC电连接。本实用新型还提供显示系统和裸眼立体显示系统。本实用新型的无机LED显示器件及其制备方法克服了现有的用于制备Micro LED的工艺可能存在的一些问题。

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摘要：本申请公开了一种用于显示器的LED像素和具有该LED像素的显示设备，显示器用LED像素包括：第一LED堆叠件；第二LED堆叠件，位于第一LED堆叠件的部分区域上；第三LED堆叠件，位于第二LED堆叠件的部分区域上；反射电极，布置于第一LED堆叠件下部；第二透明电极，位于第二LED堆叠件和第三LED堆叠件之间，并与第二LED堆叠件的上表面欧姆接触；以及第三透明电极，与第三LED堆叠件的上表面欧姆接触。

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摘要：公开了一种发光元件。发光元件包括第一发光单元、布置为与第一发光单元在同一平面上沿第一方向相邻的第二发光单元、在第一发光单元和第二发光单元上彼此相隔而布置的多个接触孔、将第一发光单元和第二发光单元电连接的第一电极连接部。第一电极连接部包括：第1‑1电极连接部，位于第一发光单元上；第1‑2电极连接部，位于第二发光单元上；第一中间连接部，在第一发光单元和第二发光单元之间连接第1‑1电极连接部和第1‑2电极连接部。第1‑1连接部包括：第1‑1边缘部，位于与第二发光单元相邻的第一发光单元的第一侧面侧的边缘和与第一侧面侧相邻的第一发光单元的另一侧面侧的边缘之间；多个第1‑1分支部，从第1‑1边缘部延伸。

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摘要：公开了一种发光元件和发光二极管。所述发光元件包括：第一发光单元；一个以上的第二发光单元，与第一发光单元布置在同一平面上；第一电极，形成在所述第一发光单元或所述一个以上的第二发光单元上，且与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的一个发光单元电连接；第二电极，形成在所述第一发光单元或所述一个以上的第二发光单元上，且与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的另一个发光单元电连接，其中，所述第一发光单元布置在中央，而所述一个以上的第二发光单元布置为围绕所述第一发光单元。

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摘要：本实用新型公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片。本实用新型的LED阵列芯片，四个发光单元并联，正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体，光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外，整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本实用新型的制备方法，采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案，无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料，较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案，有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本实用新型的工艺流程简单、可靠。

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发明人：张成逵;李豪埈;蔡钟炫;李贞勋 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L27/15
摘要：一种用于显示器的发光二极管像素，所述发光二极管像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个包括：第一LED子单元，其包括第一类型的半导体层和第二类型的半导体层；第二LED子单元，其设置在所述第一LED子单元上，并包括第一类型的半导体层和第二类型的半导体层；第三LED子单元，其设置在所述第二LED子单元上，并包括第一类型的半导体层和第二类型的半导体层，其中，所述第一子像素的所述第二LED子单元和所述第三LED子单元是电浮置的，所述第二子像素的所述第一LED子单元和所述第三LED子单元是电浮置的，所述第三子像素的所述第一LED子单元和所述第二LED子单元是电浮置的。

发光装置-201910238059.7
发明人：高民求;郭重熙;柳荣浩;梁成锡;李相奭;蔡昇完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L27/15
摘要：发光装置包括：衬底，其在第一方向和第二方向上延伸；第一发光结构至第四发光结构，其在第一方向和第二方向上彼此间隔开并且以矩阵形式布置在衬底上；多个第一互连层结构，其将第一发光结构连接至第二发光结构；第二互连层结构，其将第二发光结构连接至第三发光结构；以及多个第三互连层结构，其将第三发光结构连接至第四发光结构。

具有发光二极管阵列的显示器及其制造方法-201910541174.1
发明人：谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明公开一种具有发光二极管阵列的显示器及其制造方法，其中该显示器，包括具有多个电控元件的一基板；一发光二极管阵列，包括一半导体层和多个发光单元形成于半导体层上；形成于半导体层上的多个第一电极；形成于基板和发光二极管阵列之间的一粘结层；和多个波长转换元件，形成于半导体层上并与发光单元位于半导体层的不同侧，波长转换元件的位置与发光单元的位置相对应，其中波长转换元件彼此相距一距离。

微发光二极管显示设备-201710549601.1
发明人：刘仲展;吴宗典;陈振彰;林宗毅 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/15
摘要：一种微发光二极管显示设备，具有相对配置的第一基板与第二基板，多个微发光二极管分别设置于第一基板与第二基板的相邻表面，借此即能高密度设置微发光二极管而提升分辨率；当第一基板与第二基板皆为可挠性基板，加上前述微发光二极管分设于第一基板与第二基板，则能改善微发光二极管显示设备的可挠性；当再采取反射杯对应微发光二极管设置，则更可增强亮度或改变出光方向，于是成为能改善亮度、可挠度、与增大分辨率的微发光二极管显示设备。

显示面板、显示面板的制备方法和显示装置-201910944347.4
发明人：邢汝博;王涛;张志豪 -专利权人：云谷(固安)科技有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本申请提供了一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板包括：发光层，包括多个发光芯片；光转换层，位于所述发光层上；其中，所述光转换层中设置有多个通道，所述发光芯片位于所述通道下方，所述通道的内壁为曲面状内壁；所述通道内壁表面设置有金属反射层，至少部分所述通道中填充有光转换材料。该显示面板具有光串扰少、光收集率和出光效率高、显示效果好的优点。

微发光二极管阵列基板的封装结构及其封装方法-201710370047.0
发明人：陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/15
摘要：本发明提供一种微发光二极管阵列基板的封装结构及其封装方法。本发明的微发光二极管阵列基板的封装结构，包括基板、微发光二极管阵列、及光阻保护层；所述微发光二极管阵列包括数个阵列排布的微发光二极管；所述光阻保护层对应所述数个微发光二极管的位置设有数个阵列排布的过孔，所述数个微发光二极管分别位于所述数个过孔当中；每一过孔内均填充有一个上表面呈凸起状的并覆盖相应过孔内微发光二极管的UV树脂微透镜；能够保护微发光二极管及其下方对其进行驱动的基板，并能够改善微发光二极管阵列基板的发光效果。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[实用新型]倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片有效

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