[实用新型]用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备有效
| 申请号： | 201821486872.3 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN208674083U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 曾议锋;阚保国;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 该实用新型涉及一种用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备，其中所述聚焦环包括内环和外环，所述内环设置于所述外环所围成的区域中，与所述外环位于同一平面，其特征在于，所述内环的表面设置有吸附结构，用于吸附半导体处理过程中生成的副产物。本实用新型中用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备的聚焦环的内环设置有吸附结构，通过吸附结构吸附粘附在聚焦环上的副产物，提高副产物与聚焦环的内环的表面之间的粘着力，减小副产物从聚焦环的内环脱落的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦环 半导体处理设备 内环 副产物 吸附结构 吸附 半导体处理过程 本实用新型 表面设置 减小 粘附 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体处理设备的聚焦环，包括内环和外环，所述内环设置于所述外环所围成的区域中，与所述外环位于同一平面，其特征在于，所述内环的表面设置有吸附结构，用于吸附半导体处理过程中生成的副产物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
