[实用新型]用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备有效
| 申请号： | 201821486872.3 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN208674083U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 曾议锋;阚保国;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚焦环 半导体处理设备 内环 副产物 吸附结构 吸附 半导体处理过程 本实用新型 表面设置 减小 粘附 | ||
1.一种用于半导体处理设备的聚焦环，包括内环和外环，所述内环设置于所述外环所围成的区域中，与所述外环位于同一平面，其特征在于，所述内环的表面设置有吸附结构，用于吸附半导体处理过程中生成的副产物。
2.根据权利要求1所述的用于半导体处理设备的聚焦环，其特征在于，所述吸附结构包括设置在所述内环表面的第一吸附孔；所述第一吸附孔的宽度范围为50nm至15μm。
3.根据权利要求2所述的用于半导体处理设备的聚焦环，其特征在于，所述第一吸附孔均匀分布于所述内环表面，相邻第一吸附孔之间的距离相等。
4.根据权利要求1所述的用于半导体处理设备的聚焦环，其特征在于，所述吸附结构包括位于所述内环的表面的吸附层，且所述吸附层内具有第二吸附孔；所述第二吸附孔的宽度范围为50nm至15μm；所述吸附层的孔隙率为30％～50％。
5.根据权利要求4所述的用于半导体处理设备的聚焦环，其特征在于，所述吸附层将所述内环的表面完全覆盖，所述吸附层的厚度范围为6mm至15mm。
6.根据权利要求4所述的用于半导体处理设备的聚焦环，其特征在于，所述吸附层包括陶瓷膜层、混合纤维素膜和聚砜类微滤膜中的至少一种；所述陶瓷膜层包括氧化铝膜层、氮化铝膜层、氮化铝膜层和氧化铍膜层中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的用于半导体处理设备的聚焦环，其特征在于，所述外环的外圆边缘设置有第一倒角面，所述第一倒角面与所述聚焦环所在平面的垂线之间具有第一夹角，且所述第一夹角的范围为30度至60度。
8.根据权利要求1所述的用于半导体处理设备的聚焦环，其特征在于，所述外环的内圆边缘设置有第二倒角面，所述第二倒角面与所述聚焦环所在平面的垂线之间具有第二夹角，且所述第二夹角的范围为30度至60度。
9.根据权利要求1所述的用于半导体处理设备的聚焦环，其特征在于，所述内环与外环均为石英环，所述内环的外径与所述外环的内径相一致，且所述内环与外环贴合。
10.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：根据权利要求1至9中任一项所述聚焦环。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821486872.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冷却装置以及加热治具
- 下一篇：晶圆清洗结构及涂胶显影装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
