[实用新型]用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备

说明书

该实用新型涉及一种用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备，其中所述聚焦环包括内环和外环，所述内环设置于所述外环所围成的区域中，与所述外环位于同一平面，其特征在于，所述内环的表面设置有吸附结构，用于吸附半导体处理过程中生成的副产物。本实用新型中用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备的聚焦环的内环设置有吸附结构，通过吸附结构吸附粘附在聚焦环上的副产物，提高副产物与聚焦环的内环的表面之间的粘着力，减小副产物从聚焦环的内环脱落的可能性。

技术领域

本实用新型涉及晶圆生产制造加工设备领域，具体涉及一种用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备。

背景技术

在晶圆处理过程中，经常需要使用聚焦环聚拢等离子体，以增加晶圆表面和边缘区域的等离子体浓度，从而增加等离子体浓度的均匀性，保证晶圆生产的工艺要求。

例如在使用等离子体刻蚀晶圆的过程中，在刻蚀工艺机台的刻蚀腔体内设置聚焦环以聚拢等离子，增加刻蚀晶圆的均匀程度。在刻蚀过程中，由于等离子体的轰击，刻蚀腔体中会产生大量副产物。大部分刻蚀生成的副产物会被分子泵抽离出所述刻蚀腔体，但仍会有少数副产物会残留在刻蚀腔体中，沉积于所述聚焦环表面。

随着时间的积累，副产物与聚焦环表面之间的粘附会由于重力作用而变得不牢固，逐渐从所述聚焦环表面剥落，掉落到晶圆上，影响晶圆的品质。

现有技术中，采用缩短机台的清洗周期的方法来清理掉所述刻蚀腔体中剥落的副产物，但采用缩短机台的清洗周期的方法时，会影响机台的工作时长，从而影响机台的产率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于半导体处理设备的聚焦环及半导体处理设备，能够增大半导体处理过程中生成的副产物与聚焦环表面之间的粘着力，减小残留的半导体处理过程中生成的副产物从聚焦环表面脱落的可能性。

为解决上述技术问题，本实用新型中提供了一种用于半导体处理设备的聚焦环，包括内环和外环，所述内环设置于所述外环所围成的区域中，与所述外环位于同一平面，所述内环的表面设置有吸附结构，用于吸附半导体处理过程中生成的副产物。

可选的，所述吸附结构包括设置在所述内环表面的第一吸附孔；所述第一吸附孔的宽度范围为50nm至15μm。

可选的，所述第一吸附孔均匀分布于所述内环表面，相邻第一吸附孔之间的距离相等。

可选的，所述吸附结构包括位于所述内环的表面的吸附层，且所述吸附层内具有第二吸附孔；所述第二吸附孔的宽度范围为50nm至15μm；所述吸附层的孔隙率为30％～50％。

可选的，所述吸附层将所述内环的表面完全覆盖，所述吸附层的厚度范围为6mm至15mm。

可选的，所述吸附层包括陶瓷膜层、混合纤维素膜和聚砜类微滤膜中的至少一种；所述陶瓷膜层包括氧化铝膜层、氮化铝膜层、氮化铝膜层和氧化铍膜层中的至少一种。

可选的，所述外环的外圆边缘设置有第一倒角面，所述第一倒角面与所述聚焦环所在平面的垂线之间具有第一夹角，且所述第一夹角的范围为30度至60度。

可选的，所述外环的内圆边缘设置有第二倒角面，所述第二倒角面与所述聚焦环所在平面的垂线之间具有第二夹角，且所述第二夹角的范围为30度至60度。

可选的，所述内环与外环均为石英环，所述内环的外径与所述外环的内径相一致，且所述内环与外环贴合。

为了解决上述技术问题，本实用新型中还提供了一种半导体处理设备，包括上述聚焦环。

本实用新型中的用于半导体处理设备的聚焦环，内环设置有吸附结构，所述吸附结构可吸附半导体处理设备在处理过程中生成的副产物，提高副产物与聚焦环的内环的表面之间的粘着力，减小副产物从聚焦环的内环脱落的可能性。