[实用新型]半导体装置

摘要

本实用新型提供一种半导体装置，该半导体装置包括一晶圆，晶圆包含基板和在基板上的绝缘层，绝缘层具有空洞；在绝缘层上形成金属层，金属层在空洞里面填充形成为金属栓塞，金属栓塞的顶面凹陷于绝缘层的上表面的深度在100纳米以内，利用金属栓塞的顶面和绝缘层的上表面经由化学机械研磨的主研磨步骤和后研磨步骤所达成。本实用新型有效改善了金属栓塞凹陷缺陷，提升了金属栓塞导电性能，提高了产品成品率。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于,包括一晶圆，所述晶圆包含基板和在所述基板上的绝缘层，所述绝缘层具有空洞；在所述绝缘层上形成金属层，所述金属层在所述空洞里面填充形成为金属栓塞，所述金属栓塞的顶面凹陷于所述绝缘层的上表面的深度在100纳米以内，利用所述金属栓塞的顶面和所述绝缘层的上表面经由化学机械研磨的主研磨步骤和后研磨步骤所达成，所述主研磨步骤中供应的第一研磨浆料包括金属研磨加速剂一，用于去除所述金属层在所述绝缘层上的总金属层厚度的60％以上，所述后研磨步骤供应的第二研磨浆料包括金属研磨加速剂二；所述第二研磨浆料具有不同于所述第一研磨浆料的组成配比，以使所述后研磨步骤中金属研磨速率小于所述主研磨步骤的金属研磨速率。