[实用新型]半导体封装结构

摘要

本申请涉及半导体封装领域，公开了一种半导体封装结构及其制造方法。半导体封装结构包括：第一封装体，具有第一安装面及位于第一安装面的第一外接凸块；包含导电粒子的异方性导电膜，贴合在第一安装面上；第二封装体，包括第二芯片、密封第二芯片的第二塑封料、覆盖于第二塑封料的第一中间层重布线结构以及突起于第一中间层重布线结构的第二外接凸块。第二外接凸块局部嵌陷于第一中间层重布线结构的介电层；其中导电粒子的硬度大于第二外接凸块，当第二封装体压合到第一封装体并以异方性导电膜粘合直到第一外接凸块与第二外接凸块之间的纵向间隙小于导电粒子的最大粒径。采用上述技术方案，可增加吞吐量，并减少封装后的面积。

主权项

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一封装体，具有第一安装面，所述第一封装体包括第一芯片、密封所述第一芯片的第一塑封料以及位于所述第一安装面的第一外接凸块，所述第一芯片具有第一有源面和与所述第一有源面相对的第一背面，所述第一芯片包括位于所述第一有源面的第一芯片焊盘；第一异方性导电膜，包含导电粒子，所述第一异方性导电膜贴合在所述第一安装面上；第二封装体，包括第二芯片、密封所述第二芯片的第二塑封料、覆盖于所述第二塑封料的第一中间层重布线结构以及突起于所述第一中间层重布线结构的第二外接凸块，所述第二芯片具有第二有源面和与所述第二有源面相对的第二背面，所述第二芯片包括位于所述第二有源面的第二芯片焊盘、位于所述第二有源面上的第一中间层钝化层以及位于所述第一中间层钝化层内并与所述第二芯片焊盘键合的第一中间层互连凸块，所述第二塑封料的形成表面、所述第一中间层钝化层的外表面与所述第一中间层互连凸块的顶面形成于第一中间层连续表面；所述第一中间层重布线结构形成在所述第一中间层连续表面上，所述第二外接凸块局部嵌陷于所述第一中间层重布线结构的介电层并经由所述第一中间层重布线结构的第一线路电连接至所述第一中间层互连凸块的顶面；其中，所述导电粒子的硬度大于所述第二外接凸块，当所述第二封装体压合到所述第一封装体并以所述第一异方性导电膜粘合直到所述第一外接凸块与所述第二外接凸块之间的纵向间隙小于所述导电粒子的最大粒径，所述导电粒子局部嵌陷于所述第二外接凸块，使所述第二外接凸块通过所述导电粒子达到与所述第一外接凸块的纵向电连接。