[实用新型]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

第一封装体，具有第一安装面，所述第一封装体包括第一芯片、密封所述第一芯片的第一塑封料以及位于所述第一安装面的第一外接凸块，所述第一芯片具有第一有源面和与所述第一有源面相对的第一背面，所述第一芯片包括位于所述第一有源面的第一芯片焊盘；

第一异方性导电膜，包含导电粒子，所述第一异方性导电膜贴合在所述第一安装面上；

第二封装体，包括第二芯片、密封所述第二芯片的第二塑封料、覆盖于所述第二塑封料的第一中间层重布线结构以及突起于所述第一中间层重布线结构的第二外接凸块，所述第二芯片具有第二有源面和与所述第二有源面相对的第二背面，所述第二芯片包括位于所述第二有源面的第二芯片焊盘、位于所述第二有源面上的第一中间层钝化层以及位于所述第一中间层钝化层内并与所述第二芯片焊盘键合的第一中间层互连凸块，所述第二塑封料的形成表面、所述第一中间层钝化层的外表面与所述第一中间层互连凸块的顶面形成于第一中间层连续表面；所述第一中间层重布线结构形成在所述第一中间层连续表面上，所述第二外接凸块局部嵌陷于所述第一中间层重布线结构的介电层并经由所述第一中间层重布线结构的第一线路电连接至所述第一中间层互连凸块的顶面；

其中，所述导电粒子的硬度大于所述第二外接凸块，当所述第二封装体压合到所述第一封装体并以所述第一异方性导电膜粘合直到所述第一外接凸块与所述第二外接凸块之间的纵向间隙小于所述导电粒子的最大粒径，所述导电粒子局部嵌陷于所述第二外接凸块，使所述第二外接凸块通过所述导电粒子达到与所述第一外接凸块的纵向电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电粒子的硬度亦大于所述第一外接凸块。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一中间层互连凸块相对偏离所述第一外接凸块和所述第二外接凸块的接合点。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电粒子的形状包括球形、锥状体形、立方体形、多角体形中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电粒子的粒径小于5微米且为金属材质。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二封装体还包括第二中间层重布线结构以及突起于所述第二中间层重布线结构的第三外接凸块；所述第二芯片还包括位于所述第二背面上的第二中间层钝化层，以及位于所述第二中间层钝化层内并通过硅通孔与所述第二芯片焊盘电连接的第二中间层互连凸块，所述第二塑封料的封装表面、所述第二中间层钝化层的外表面与所述第二中间层互连凸块的顶面形成于第二中间层连续表面；所述第二中间层重布线结构形成在所述第二中间层连续表面上，所述第三外接凸块局部嵌陷于所述第二中间层重布线结构的介电层并经由所述第二中间层重布线结构的第二线路电连接至所述第二中间层互连凸块的顶面。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一封装体还包括：第一底层重布线结构和第二底层重布线结构；

所述第一芯片还包括位于所述第一有源面上的第一底层钝化层、位于所述第一底层钝化层内并与所述第一芯片焊盘键合的第一底层互连凸块、位于所述第一背面上的第二底层钝化层以及位于所述第二底层钝化层内并通过硅通孔与所述第一芯片焊盘电连接的第二底层互连凸块；

所述第一塑封料的形成表面、所述第一底层钝化层的外表面与所述第一底层互连凸块的顶面形成于第一底层连续表面；所述第一底层重布线结构形成在所述第一底层连续表面上，所述第一底层重布线结构具有介电层、形成在介电层的外表面上的端子焊盘以及位于所述介电层内并电连接所述端子焊盘与所述第一底层互连凸块的第三线路；所述第一封装体还包括植接于所述端子焊盘的焊球；

所述第一塑封料的封装表面、所述第二底层钝化层的外表面与所述第二底层互连凸块的顶面形成于第二底层连续表面；所述第二底层重布线结构形成在所述第二底层连续表面上，所述第一外接凸块局部嵌陷于所述第二底层重布线结构的介电层并经由所述第二底层重布线结构的第四线路电连接至所述第二底层互连凸块的顶面。