[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201820090736.6 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN207542270U | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王锋;詹宇;陈亭玉;林素慧;洪灵愿;许圣贤;彭康伟;张家宏 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；所述第一电极具有焊盘部和扩展部，所述焊盘部的下方设有绝缘层，所述绝缘层具有至少两个块状结构，围绕所述焊盘区的中心区域分布，所述块状结构之间彼此分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 绝缘层 发光二极管 第一电极 电性连接 块状结构 焊盘部 发光外延层 彼此分离 第二电极 中心区域 发光层 焊盘区 扩展部 | ||
【主权项】：
1.发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；其特征在于：所述第一电极具有焊盘部和扩展部，所述焊盘部的下方设有绝缘层，所述绝缘层具有至少两个块状结构，围绕所述焊盘区的中心区域分布，所述块状结构之间彼此分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安光电科技有限公司，未经厦门市三安光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820090736.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种偏振相关超辐射发光二极管芯片
- 下一篇：一种广角超导热型贴片红外发射灯珠
