[发明专利]一种单晶形貌的层状镍锰酸锂正极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811621732.7 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109811412A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 汪乾;刘婧婧;阮丁山;唐盛贺;李长东 | 申请（专利权）人： | 广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B1/10;C30B29/64;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 左恒峰 |
| 地址： | 528200 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶形貌的层状镍锰酸锂正极材料及其制备方法。这种单晶形貌的层状镍锰酸锂正极材料是通过以下的制备方法制得：1)将镍盐和锰盐通过湿化学法，制备得到镍锰前驱体，其中Ni和Mn的摩尔比为1:1；2)将镍锰前驱体进行预烧结，得到镍锰氧化物前驱体；3)将镍锰氧化物前驱体与锂源、M源添加剂混合，然后煅烧，得到单晶形貌的层状镍锰酸锂正极材料。本发明充分发挥单晶颗粒具有理论密度的优势，以此来提升正极材料制作极片的压实密度，从而提高了锂离子电池的体积能量密度。本发明单晶颗粒内部材料的缺陷大大降低，能有效提升充放电过程中正极材料的结构稳定性，从而提高锂离子电池的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 正极材料 形貌 镍锰酸锂 单晶 制备 镍锰前驱体 镍锰氧化物 锂离子电池 单晶颗粒 前驱体 充放电过程 结构稳定性 添加剂混合 内部材料 湿化学法 使用寿命 体积能量 摩尔比 预烧结 极片 锰盐 镍盐 压实 煅烧 锂源 制作 | ||
【主权项】：
1.一种单晶形貌的层状镍锰酸锂正极材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)将镍盐和锰盐通过湿化学法，制备得到镍锰前驱体，其中Ni和Mn的摩尔比为1:1；2)将镍锰前驱体进行预烧结，得到镍锰氧化物前驱体；3)将镍锰氧化物前驱体与锂源、M源添加剂混合，然后煅烧，得到单晶形貌的层状镍锰酸锂正极材料；步骤3)所述的M为Al、Mg、Zr、La、Ce、Ti、Mo、Sr、Y、Zn、Nd、Ca中的至少一种。
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- 一种人造宝石圆锥成型工艺，包括以下步骤：步骤1：将原料熔融混匀形成熔体，原料包括：20~40重量份的SiO2、0.1~0.3重量份的Cr2O3、0.2~0.5重量份的CePO4、0.1~0.4重量份的Nd2O3、0.3~0.8重量份的La2O3、0.5~0.8重量份的CaO，将原料放入坩埚在2600℃~2800℃熔炼至少2h；步骤2：将熔体注入圆柱形模具，用盖封住模具开口，使得熔体自动降温实现玻璃化转变，在冷却过程中，圆柱形模具置于振动时效装置中持续共振，振动时效装置置于氩气气氛中；步骤3：降温到1800℃左右时停止共振，取出模具，将模具保持在1800℃左右，压力在50~100mbar，3h；步骤4：继续自然降温至常温，得到产品。
- 一种高倍率富锂锰基正极材料单晶及其制备方法-201811414061.7
- 马全新;钟盛文;孟军霞;张骞;李之峰 - 江西理工大学
- 2018-11-26 - 2019-03-29 - C30B29/22
- 一种高倍率富锂锰基正极材料单晶及其制备方法，本发明是要解决现有富锂锰基正极材料的倍率性能差、循环性能差、压实密度小和能量密度低的技术问题。本发明的富锂锰基正极材料的通式为xLi2MnO3·(1‑x)LiMO2(0
- 一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法-201910083296.0
- 陶绪堂;穆文祥;贾志泰 - 山东大学
- 2019-01-28 - 2019-03-29 - C30B29/22
- 本发明提供一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法。该晶体分子式为β‑(Ga1‑xAx)2O3，A代表Ca、Zn、Ti、或Ni元素，0.0001≤x≤0.2。晶体生长方法可以为光浮区法、提拉法、导模法等常用晶体生长方法。与现有技术相比，本发明获得氧化镓晶体具有高的电阻率，可用作半绝缘衬底，用于场效应晶体管、高迁移率晶体管等器件。
- 一种光纤偏振器晶体生长炉-201811305845.6
- 孙国明;谢良平;邢利平;王继良;刘延;杜鹏琼;董彩霞 - 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
- 2018-11-02 - 2019-03-26 - C30B29/22
- 本发明属于光纤偏振器制作技术，涉及一种能够实现特定温度梯度分布的光纤偏振器晶体生长炉。本发明光纤偏振器晶体生长炉由上下相互对应设置的上加热炉和下加热炉组成，其中，所述上加热炉内设置有晶体生长腔，下加热炉对应晶体生长腔位置处设置有基片槽，所述晶体生长腔横截面于晶体形状基本一致，但横截面面积远大于晶体横截面尺寸，二者保持对称间距。本发明通过温度场设计与控制、充分利用炉腔表面现状对温度场的影响规律，不仅可降低硝酸钠单晶的生长缺陷率，实现光纤偏振器的高质量、高可靠性，而且可弥补硝酸钠单晶本身所具有的温度膨胀系数各项异性与变温中易裂纹的短板。
- 一种沿[400]晶向取向生长的PbPdO2材料及其制备方法-201610906106.7
- 苏海林;刘俊;梅超;吴玉程;黄荣俊 - 合肥工业大学
- 2016-10-17 - 2019-02-26 - C30B29/22
- 本发明提供了一种晶向可控的PbPdO2材料及其制备方法：所述PbPdO2材料，其最强衍射峰对应的晶粒生长方向为[400]晶向。所述的制备方法，包括：称量含有Fe、含有Pb和含有Pd的化合物；将含有Fe、含有Pb的化合物与混合溶剂、络合剂混合，获得含有Fe和Pb的混合液；将含有Pd的化合物与强酸混合，获得含有强酸的混合液；将混合液混合，获得溶胶；将溶胶涂覆在基板上烘干和预烧，获得预烧薄膜；将预烧薄膜进行煅烧，获得的产物。有益效果：本发明在不依赖于高匹配度晶格常数基板的情况下，成功实现了诱导PbPdO2材料沿[400]晶向做择优取向生长，并形成纳米颗粒膜。
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