[发明专利]4英寸LED外延生长方法有效
| 申请号： | 201811558803.3 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109638121B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 徐平;季辉;吴奇峰 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L21/67;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L23/60 |
| 代理公司： | 11603 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种4英寸LED外延生长方法，涉及LED技术领域，包括：处理衬底、生长低温缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长Al | ||
| 搜索关键词： | 生长 超晶格层 外延生长 衬底 不掺杂GaN层 低温缓冲层 抗静电能力 材料应力 降温冷却 应力累积 蓝宝石 外延膜 外延片 翘曲 源层 掺杂 合格率 引入 | ||
【主权项】：
1.一种4英寸LED外延生长方法，其特征在于，包括：处理衬底、生长低温缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长Al
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