[实用新型]一种大功率发光二极管有效
| 申请号： | 201921120194.3 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN210040238U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;卓祥景;曲晓东;蔡建九 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种大功率发光二极管，通过超晶格导电层配合第一电流扩展层应用，同时，超晶格导电层采用依次堆叠的第一超晶格层、第一超晶格隔离层、第二超晶格层的周期单元；且所述第一超晶格层包括掺杂型材料层，所述第二超晶格层包括非掺杂型材料层，所述第一超晶格隔离层和所述第二超晶格隔离层包括高掺型材料层，使第一超晶格隔离层、第二超晶格隔离层分别与第一超晶格层、第二超晶格层的接触面形成δ掺杂，使掺杂区域中的晶格应变在III‑V族氮化物材料中引发强大的压电效应及载流子‑杂质交互作用的改变，从而提高电子迁移率，有效提高超晶格导电层所形成的电流扩展效果，进而提高大尺寸发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 超晶格 超晶格层 隔离层 材料层 导电层 载流子 大功率发光二极管 本实用新型 氮化物材料 电流扩展层 电子迁移率 发光二极管 掺杂区域 电流扩展 发光效率 非掺杂型 交互作用 晶格应变 压电效应 周期单元 掺杂型 堆叠 掺杂 应用 配合 | ||
【主权项】：
1.一种大功率发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底表面的外延结构，所述外延结构包括在所述衬底表面依次堆叠的缓冲层、非故意掺杂层、超晶格导电层、第一型导电层、有源层和第二型导电层；所述超晶格导电层包括n个堆叠设置的周期单元，周期排列顺序从所述衬底开始由下往上依次增加；各所述周期单元包括依次堆叠的第一超晶格层、第一超晶格隔离层、第二超晶格层；外延结构的局部区域蚀刻至部分所述的第一型导电层，形成台面，所述台面的侧壁沉积有电极隔离层；/n第一电极，所述第一电极包括第一焊盘和至少一个第一扩展电极；所述第一焊盘层叠于所述台面；各所述第一扩展电极分别嵌入所述超晶格导电层的最后一周期单元内与第一超晶格层形成欧姆接触，并往上延伸至台面与所述第一焊盘形成欧姆接触；/n第二电极，位于所述第二型导电层的上表面，包括第二焊盘和至少一个第二扩展电极；各所述第二扩展电极分别与所述第二焊盘形成欧姆连接，并远离各所述第一扩展电极设置。/n
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