[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种能够减小形成在同一基板的多个单位晶体管的动作时的温度之差而提高作为晶体管整体的性能的半导体装置。在形成于基板的多个单位晶体管的动作区域的上方配置有布线，在其上配置有绝缘膜。在绝缘膜设置有在俯视下整个区域与布线重叠的开口。在绝缘膜上配置有穿过开口与布线电连接的金属构件。单位晶体管在基板上在第一方向上并列地配置。开口的几何中心相对于单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心在第一方向上偏移。在将具有与单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心最近的几何中心的开口定义为最靠近开口时，从动作区域的几何中心到最靠近开口的几何中心的向第一方向的偏移量，从单位晶体管的排列的中心朝向端部而变大。

主权项

1.一种半导体装置，具有：多个单位晶体管，形成在基板上，包含流过动作电流的动作区域；第一布线，配置在所述动作区域的上方，成为流过所述单位晶体管的电流的路径；绝缘膜，配置在所述第一布线上，所述绝缘膜设置有在俯视下整个区域与所述第一布线重叠的至少一个开口；以及金属构件，配置在所述绝缘膜上，穿过所述开口与所述第一布线电连接，多个所述单位晶体管在第一方向上并列地配置在所述基板上，在俯视下，所述开口的几何中心相对于多个所述单位晶体管中的每一个的所述动作区域的几何中心在所述第一方向上偏移，在将具有与多个所述单位晶体管中的每一个的所述动作区域的几何中心最近的几何中心的所述开口定义为最靠近开口时，从所述单位晶体管中的每一个的所述动作区域的几何中心到所述最靠近开口的几何中心的向所述第一方向的偏移量，从多个所述单位晶体管的排列的中心朝向端部而变大。