[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种能够减小形成在同一基板的多个单位晶体管的动作时的温度之差而提高作为晶体管整体的性能的半导体装置。在形成于基板的多个单位晶体管的动作区域的上方配置有布线，在其上配置有绝缘膜。在绝缘膜设置有在俯视下整个区域与布线重叠的开口。在绝缘膜上配置有穿过开口与布线电连接的金属构件。单位晶体管在基板上在第一方向上并列地配置。开口的几何中心相对于单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心在第一方向上偏移。在将具有与单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心最近的几何中心的开口定义为最靠近开口时，从动作区域的几何中心到最靠近开口的几何中心的向第一方向的偏移量，从单位晶体管的排列的中心朝向端部而变大。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

在便携式终端等的功率放大器模块使用异质结双极晶体管(HBT)。在下述的专利文献1公开了在HBT的正上方配置有凸块的半导体装置。凸块穿过设置在配置于HBT与凸块之间的绝缘膜的开口部与HBT电连接。HBT的整体配置在设置于凸块下的绝缘膜的开口部的内侧。通过设为这样的结构，从而从HBT到凸块的距离变短，其结果是，能够降低从HBT到凸块的热流路的热阻。

在该结构中，在发射极层等容易产生起因于HBT的发射极层等的热膨胀率与凸块的热膨胀率之差的热应力。由于该热应力，HBT的可靠性下降。

在下述的专利文献2公开了能够缓解热应力的半导体装置。在该半导体装置中，HBT的发射极层具有大致长方形的平面形状，设置在凸块下的绝缘膜的开口部配置在从HBT的发射极层向其长边方向偏移的位置。通过采用该结构，从而与发射极层的整个区域配置在开口部的内侧的情况相比，在发射极层等产生的热应力减小。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-77930号公报

专利文献2：日本专利第5967317号公报

在专利文献2公开了包含一个异质结双极晶体管的半导体装置。实际上，多数情况下采用在一片基板形成多个单位晶体管且并联地连接的结构。若使并联地连接的多个单位晶体管动作，则存在单位晶体管的温度产生偏差的情况。容易变成高温的单位晶体管比其它单位晶体管劣化得快，作为半导体装置整体的寿命会变短。进而，若在动作中产生温度的偏差，则高频特性会下降。

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种能够减小形成在基板上且流过动作电流的多个单位晶体管的动作时的温度之差而提高作为晶体管整体的性能的半导体装置。

用于解决课题的技术方案

根据本发明的一个方面，提供一种半导体装置，具有：

多个单位晶体管，形成在基板上，包含流过动作电流的动作区域；

布线，配置在所述动作区域的上方，成为流过所述单位晶体管的电流的路径；

绝缘膜，配置在所述布线上，所述绝缘膜设置有在俯视下整个区域与所述布线重叠的至少一个开口；以及

金属构件，配置在所述绝缘膜上，穿过所述开口与所述布线电连接，

多个所述单位晶体管在第一方向上并列地配置在所述基板上，

在俯视下，所述开口的几何中心相对于多个所述单位晶体管中的每一个的所述动作区域的几何中心在所述第一方向上偏移，

在将具有与多个所述单位晶体管中的每一个的所述动作区域的几何中心最近的几何中心的所述开口定义为最靠近开口时，从所述动作区域的几何中心到所述最靠近开口的几何中心的向所述第一方向的偏移量，从多个所述单位晶体管的排列的中心朝向端部而变大。