[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

多个单位晶体管，形成在基板上，包含流过动作电流的动作区域；

第一布线，配置在所述动作区域的上方，成为流过所述单位晶体管的电流的路径；

绝缘膜，配置在所述第一布线上，所述绝缘膜设置有在俯视下整个区域与所述第一布线重叠的至少一个开口；以及

金属构件，配置在所述绝缘膜上，穿过所述开口与所述第一布线电连接，

多个所述单位晶体管在第一方向上并列地配置在所述基板上，

在俯视下，所述开口的几何中心相对于多个所述单位晶体管中的每一个的所述动作区域的几何中心在所述第一方向上偏移，

在将具有与多个所述单位晶体管中的每一个的所述动作区域的几何中心最近的几何中心的所述开口定义为最靠近开口时，从所述单位晶体管中的每一个的所述动作区域的几何中心到所述最靠近开口的几何中心的向所述第一方向的偏移量，从多个所述单位晶体管的排列的中心朝向端部而变大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在关于所述第一方向配置在两端的两个所述单位晶体管的所述动作区域的几何中心之间配置有所述开口，在比关于所述第一方向配置在两端的两个所述单位晶体管的所述动作区域的几何中心靠外侧，未配置所述开口。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

关于相对于所述第一方向正交的方向，在不同的位置配置有至少两个所述开口。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

在俯视下，多个所述单位晶体管中的每一个的所述动作区域的几何中心相对于所述金属构件的几何中心在与所述第一方向正交的方向上偏移。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其中，

多个所述单位晶体管的所述动作区域具有在相对于所述第一方向正交的方向上长的平面形状。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述金属构件构成包含以铜为主成分的金属柱的柱状凸块。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述金属构件构成配置在所述基板上的第二布线，

所述半导体装置还具有设置在所述第二布线上的外部连接用的端子，

所述金属构件与所述外部连接用的端子电连接。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述绝缘膜包含氧化硅、氮化硅以及树脂中的至少一种材料。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，其中，

多个所述单位晶体管中的每一个是包含形成在所述基板上的集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管，所述动作区域是在厚度方向上流过动作电流的区域。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述单位晶体管中的每一个的所述集电极层、所述基极层以及所述发射极层在所述基板上依次层叠，所述发射极层与所述第一布线电连接，所述基极层与所述发射极层的界面被设为异质结。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

所述基板由GaAs形成，所述发射极层由InGaP形成。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

所述单位晶体管中的每一个是包含由SiGe构成的所述基极层的异质结双极晶体管。

13.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，其中，

多个所述单位晶体管中的每一个是包含形成在所述基板上的源极、漏极以及栅极的场效应晶体管，所述动作区域是在所述基板的表面的面内方向上流过动作电流的区域。