[发明专利]半导体制造设备及半导体制造方法有效
申请号: | 201811486095.7 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN110323151B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 林含谕;詹易叡;李芳苇;林立德;林斌彦;林执中 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311;H01L21/762 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供一种半导体制造设备。此半导体制造设备包括:加工腔室、基板平台、反射镜以及加热机构。加工腔室用于进行蚀刻。基板平台被整合于前述加工腔室中,并配置以固定半导体晶圆。反射镜配置于前述加工腔室内,且将来自加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。加热机构嵌入于前述加工腔室中,且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺,来移除在前述蚀刻期间产生的副产物,其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述加工腔室的气体分配板之间。相应地,本公开还提供一种半导体制造方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制造设备,包括:一加工腔室,用于进行蚀刻;一基板平台,整合于该加工腔室中,且配置为用以固定一半导体晶圆;一反射镜,配置于该加工腔室内,用于将来自一加热机构的热能朝该半导体晶圆反射;以及该加热机构,嵌入于该加工腔室中,且该加热机构能被操作以执行一烘烤工艺,来移除在该蚀刻期间产生的一副产物,其中该加热机构被整合于该反射镜与该加工腔室的一气体分配板之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造