[发明专利]半导体制造设备及半导体制造方法

说明书

本公开提供一种半导体制造设备。此半导体制造设备包括：加工腔室、基板平台、反射镜以及加热机构。加工腔室用于进行蚀刻。基板平台被整合于前述加工腔室中，并配置以固定半导体晶圆。反射镜配置于前述加工腔室内，且将来自加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺，来移除在前述蚀刻期间产生的副产物，其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述加工腔室的气体分配板之间。相应地，本公开还提供一种半导体制造方法。

技术领域

本公开实施例是有关于一种半导体制造设备及半导体制造方法，特别是有关于一种包括嵌入有加热机构的加工腔室的半导体制造设备及半导体制造方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)产业经历了指数型的成长。集成电路材料与设计的技术进步产生了一代又一代的集成电路，且每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，一般而言功能密度(即每一晶片区域互连装置的数量)会增加，而几何尺寸则会下降(即利用(加工)工艺可产生的最小元件或线)。一般而言，此尺寸缩小的工艺会提供增加生产效率与降低相关成本的优点。此尺寸缩小的工艺也会增加加工及制造集成电路的复杂度，且为了实现这些优势，集成电路加工与制造的设备也需要相似的发展。在一范例中，利用蚀刻系统以移除标靶(target)材料。在蚀刻工艺期间，会产生一种或多种副产物及残留物，并会在加工时污染半导体晶圆。之后需更进一步移除副产物，以确保加工晶圆的品质。然而，现有的蚀刻系统实施低效率的方法来移除副产物。现有的方法并不具效率，且无法有效地移除副产物，导致制造产率低并降低蚀刻效能。因此，需要提供一种集成电路制造系统及利用此系统的方法，以解决上述缺点。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体制造设备，其包括：加工腔室、基板平台、反射镜以及加热机构。加工腔室用于进行蚀刻。基板平台被整合于前述加工腔室中，并配置以固定半导体晶圆。反射镜配置于前述加工腔室内，且前述反射镜将来自加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。前述加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺，来移除在前述蚀刻期间产生的副产物，其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述加工腔室的气体分配板之间。

本公开实施例提供一种半导体制造设备，其包括：加工腔室、基板平台、加热机构、反射镜以及气体分配板。加工腔室被用于执行蚀刻工艺以移除介电材料。基板平台被整合于前述加工腔室中，且配置以固定半导体晶圆。加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作前述加热机构以执行烘烤工艺，来移除在前述蚀刻工艺期间产生的副产物，其中前述加热机构包括红外灯及微波源的其中一者。反射镜被整合于前述加工腔室内，用于将来自前述加热机构的热能朝前述半导体晶圆反射。气体分配板被整合于前述加工腔室内，用于将化学气体输送至前述半导体晶圆以进行蚀刻工艺，其中前述加热机构被整合于前述反射镜与前述气体分配板之间。

本公开实施例提供一种半导体制造方法，其包括：提供加工腔室，前述加工腔室包括基板平台以及加热机构。基板平台被整合于前述加工腔室中，且配置以固定半导体晶圆。加热机构嵌入于前述加工腔室中，且可操作以执行烘烤工艺，其中前述加热机构包括红外灯与微波源的其中一者，且前述加热机构被整合于反射镜与气体分配板之间。在前述加工腔室中对半导体晶圆执行蚀刻工艺，以移除氧化硅。在前述加工腔室中利用前述加热机构对半导体晶圆执行烘烤工艺，以移除副产物。

附图说明

图1绘示根据一些实施例的用于制造集成电路的半导体加工系统的示意图。

图2绘示根据一些实施例的图1中的系统的加工腔室的示意图。

图3绘示根据一些实施例的图1中的系统的加工腔室的示意图。

图4A、图4B、图4C及图4D绘示根据一些实施例的图3的加工腔室的俯视示意图。

图5绘示根据一些实施例的图1中的系统的加工腔室的示意图。

图6绘示根据一些实施例的图5的加工腔室的俯视示意图。