[发明专利]具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件在审
| 申请号： | 201811480537.7 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109872974A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | M.哈里逊;G.辛纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：半导体衬底，其具有带有一个或多个晶体管单元的第一区和没有晶体管单元的第二区；半导体衬底的第一区和第二区上的第一介电材料；第一介电材料上面的第二介电材料；在半导体衬底的第二区上的第一介电材料中形成的pn二极管；多个第一接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的p型区中以使得该p型区毗连每个第一接触的侧壁；以及多个第二接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的n型区中以使得该n型区毗连每个第二接触的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 介电材料 衬底 半导体 半导体器件 晶体管单元 延伸 第一区 毗连 侧壁 温度传感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：半导体衬底，其具有带有一个或多个晶体管单元的第一区和没有晶体管单元的第二区；半导体衬底的第一区和第二区上面的第一介电材料；第一介电材料上面的第二介电材料；在半导体衬底的第二区上面的第一介电材料中形成的pn二极管；多个第一接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的p型区中以使得该p型区毗连每个第一接触的侧壁；以及多个第二接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的n型区中以使得该n型区毗连每个第二接触的侧壁。
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