[发明专利]具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

半导体衬底，其具有带有一个或多个晶体管单元的第一区和没有晶体管单元的第二区；

半导体衬底的第一区和第二区上面的第一介电材料；

第一介电材料上面的第二介电材料；

在半导体衬底的第二区上面的第一介电材料中形成的pn二极管；

多个第一接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的p型区中以使得该p型区毗连每个第一接触的侧壁；以及

多个第二接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的n型区中以使得该n型区毗连每个第二接触的侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该多个第一接触延伸通过pn二极管的p型区并且延伸到设置在pn二极管和半导体衬底之间的第一介电材料的下层中，并且其中该多个第二接触延伸通过pn二极管的n型区并且延伸到第一介电材料的下层中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该多个第一接触在到达设置在pn二极管和半导体衬底之间的第一介电材料的下层之前在pn二极管的p型区内终止，并且其中该多个第二接触在到达第一介电材料的下层之前在pn二极管的n型区内终止。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该第一介电材料包括第一层以及该第一层上面的第二层，并且其中在半导体衬底的第二区上面的第二层与第一层之间形成pn二极管。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中该第一介电材料的第一层比第一介电材料的第二层更厚。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该多个第一接触包括大体上彼此平行延伸的第一接触的行，并且其中该多个第二接触包括大体上彼此平行延伸的第二接触的行。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该多个第一接触以第一棋盘式图案来布置，并且其中该多个第二接触以第二棋盘式图案来布置。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在半导体衬底的第二区上面但不在第一区上面的第三介电材料，其中该第一介电材料通过第三介电材料与半导体衬底分离。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该pn二极管包括具有在300nm和950nm之间的厚度的多晶或非晶硅。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该第一介电材料包括未掺杂的硅酸盐玻璃（USG），其中该第二介电材料包括硼磷硅酸盐玻璃（BPSG），并且其中该pn二极管包括多晶或非晶硅。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中围绕每个第一接触和每个第二接触的周界来回蚀第一介电材料和第二介电材料，以使得pn二极管不被每个区中的第一介电材料或第二介电材料覆盖，其中该第一介电材料和第二介电材料被回蚀。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该多个第一接触与pn二极管的第一边缘间隔开至少50µm，多个第一接触沿着该第一边缘平行延伸，并且其中该多个第二接触与pn二极管的第二边缘间隔开至少50µm，多个第二接触沿着该第二边缘平行延伸。

13.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

在半导体衬底的第一区中形成一个或多个晶体管单元，该半导体衬底具有没有晶体管单元的第二区；

在半导体衬底的第一区和第二区上面形成第一介电材料；

在第一介电材料上面形成第二介电材料；

在半导体衬底的第二区上面的第一介电材料中形成pn二极管；

形成从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的p型区中以使得该p型区毗连每个第一接触的侧壁的多个第一接触；以及

形成从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的n型区中以使得该n型区毗连每个第二接触的侧壁的多个第二接触。