[发明专利]用于FinFET器件的掩埋金属和方法

摘要

半导体器件包括：掩埋金属线，设置在半导体衬底中；第一介电材料，位于掩埋金属线的第一侧壁上，和第二介电材料，位于掩埋金属线的第二侧壁上；第一多个鳍，设置为邻近掩埋金属线的第一侧壁；第二多个鳍，设置为邻近掩埋金属线的第二侧壁；第一金属栅极结构，位于第一多个鳍上和掩埋金属线上，其中第一金属栅极结构延伸穿过第一介电材料以接触掩埋金属线，以及第二金属栅极结构，位于第二多个鳍上和掩埋金属线上。本发明的实施例还涉及用于FinFET器件的掩埋金属和方法。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中蚀刻第一凹槽；在所述第一凹槽内沉积导电材料；在所述半导体衬底中蚀刻第二凹槽以暴露所述导电材料的第一侧壁；在所述第二凹槽内沉积第一介电材料；在所述半导体衬底中蚀刻第三凹槽以暴露与所述第一侧壁相对的所述导电材料的第二侧壁；在所述第三凹槽内沉积第二介电材料；在所述半导体衬底中形成第一组鳍，所述第一组鳍设置在所述导电材料的第一侧上，并且在所述半导体衬底中形成第二组鳍，所述第二组鳍设置在所述导电材料的与所述第一侧相对的第二侧上；蚀刻所述第一介电材料以暴露所述导电材料的所述第一侧壁；在所述第一组鳍上形成第一金属栅极结构，所述第一金属栅极结构与所述导电材料的暴露的第一侧壁接触；以及在所述第二组鳍上形成第二金属栅极结构。