[发明专利]一种钛酸铋钠纳米线及其制备方法在审
| 申请号： | 201811310707.7 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109280975A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 朱哲;李俊鹏;李超 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B29/60;C30B7/14 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有条纹畴结构的高压电系数的钛酸铋钠纳米线。所述条纹畴沿钛酸铋钠纳米线的长度方向交替排列。本发明还公开了一种所述钛酸铋钠纳米线的制备方法，包括以下步骤：(1)配制钛酸铋钠前驱体溶液(2)水热合成钛酸铋钠纳米线。所述方法可制备得到具有规律条纹畴结构的钛酸铋钠纳米线。所述规律条纹畴结构可有效地提高钛酸铋钠纳米线的压电系数。 | ||
| 搜索关键词： | 钛酸铋钠纳米线 条纹 畴结构 制备 前驱体溶液 交替排列 水热合成 压电系数 钛酸铋钠 高压电 有效地 配制 | ||
【主权项】：
1.一种钛酸铋钠纳米线，其特征在于：具有条纹畴。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811310707.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 具有原子级台阶结构的单晶钛酸锶衬底基片及其制备方法-201910644631.X
- 付振;陈燕宁;尹志岗;原义栋;刘芳 - 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
- 2019-07-17 - 2019-09-20 - C30B29/32
- 本发明公开了一种具有原子级台阶结构的单晶钛酸锶衬底基片的制备方法。该制备方法包括：将未处理的钛酸锶衬底基片进行第一次超声波清洗；用氟化铵‑氢氟酸缓冲液腐蚀第一次清洗后的钛酸锶衬底基片；将所得钛酸锶衬底基片在高温流动氧氛围下进行退火处理；将退火处理后的钛酸锶衬底基片进行第二次超声波清洗，得到具有原子级台阶结构的单晶钛酸锶衬底基片；以及将所得的具有原子级台阶结构的单晶钛酸锶衬底基片进行出片。该制备方法能够使得单晶钛酸锶衬底基片可定向性腐蚀出具有台阶结构的钛‑氧结束面，且酸碱度适宜，表面呈现明显的台阶状，表面均方根粗糙度低，整个台阶表面并无腐蚀孔洞出现。
- 一种KGW晶体生产用反应炉-201822024984.3
- 陈从贺 - 福州恒光光电有限公司
- 2018-12-04 - 2019-07-26 - C30B29/32
- 本实用新型涉及晶体生产应用技术领域，且公开了一种KGW晶体生产用反应炉，包括反应炉主体，所述反应炉主体的顶部固定安装有盖板，所述反应炉主体的顶部开设有连接口，所述连接口的内部活动安装有夹头。该KGW晶体生产用反应炉，通过反应炉主体的内顶壁固定安装有上隔热屏，反应炉主体的内底壁固定安装有下隔热屏，上隔热屏和下隔热屏均有岩棉板，能够有效的阻止反应炉主体内部的热量流失过快，通过反应炉主体的内壁固定安装有保温陶瓷片和保温外板，保温陶瓷片为保温隔热陶瓷，保温外板为玻璃棉板，使反应炉主体内部的减慢流失速度，使反应炉主体长时间保持热量，减少供热力度，达到了节能效果好的目的。
- 一种基于柔性衬底生长的锶掺杂钛酸钡多晶薄膜的制备方法-201910257889.4
- 陆旭兵;高栋 - 肇庆市华师大光电产业研究院
- 2019-04-01 - 2019-07-23 - C30B29/32
- 本发明公开了一种基于柔性衬底生长的锶掺杂钛酸钡多晶薄膜的制备方法，包括将锶掺杂钛酸钡块体为靶材，云母作为衬底，控制靶材与衬底距离为4~4.5cm，将腔体封闭并抽真空至10‑4 Pa以下，然后控制纯氧的氧压为15~20Pa，激光能流密度为2~2.5 J/cm2，然后以2~5℃/min的速度将腔内样品台温度升至650~700℃，轰击靶材，得到柔性的锶掺杂钛酸钡多晶薄膜。本发明制备的锶掺杂钛酸钡薄膜致密性和平整度较好，在制备耐高温、可柔性弯曲的高介电电容器中具有很好的应用前景。
- 一种钨酸镧（钆）钠晶体的生长方法-201910129108.3
- 陈良;熊巍;袁晖;周尧 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 2019-02-21 - 2019-07-12 - C30B29/32
- 本发明涉及一种钨酸镧（钆）钠晶体的生长方法，所述钨酸镧（钆）钠晶体为钨酸镧钠晶体或钨酸钆钠晶体，所述方法包括：将晶体原料和籽晶装入坩埚并封闭后，升温至1250～1350℃，待晶体原料全部熔化后，开始晶体的生长，其中，坩埚的下降速率0.3～0.8 mm/h，生长界面的温度梯度为40～70℃/cm；生长结束后，自然冷却至室温，得到所述钨酸镧（钆）钠晶体。
- 一种引发剂法合成偏钛酸钾片晶的方法-201910235700.1
- 黄继芬;黄芾 - 唐山晶须复合材料制造有限公司
- 2019-03-27 - 2019-07-05 - C30B29/32
- 本发明涉及一种引发剂法合成偏钛酸钾片晶的方法，属于无机盐陶瓷材料制造技术领域。技术方案是：利用引发剂中的氧化镁或氧化锂成分首先与熔融的氧化钾及固相二氧化钛所形成的固溶体在较低温度下发生化学反应，生成少量片状的钛酸钾镁或钛酸锂钾，从而引发钛酸钾固熔体沿着片状钛酸钾镁或钛酸锂钾的片状方向进行晶体生长，继而合成出片状的偏钛酸钾晶体。本发明合成出来的片状偏钛酸钾，不粘附陶瓷坩埚，且偏钛酸钾片晶产品均匀性优良，吸潮性能明显低于不加引发剂合成的偏钛酸钾，且引发剂的量小，不影响到偏钛酸钾的正常使用。合成过程极为简单，能耗小，成本低，生产周期短，实现了零污染，收率大。
- 一种钕掺杂铌镁酸铅-钛酸铅材料及其制备方法-201910287604.1
- 许兰;何超;龙西法 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2019-04-11 - 2019-07-02 - C30B29/32
- 本申请公开了一种钕掺杂铌镁酸铅‑钛酸铅材料，包括其的铁电发光材料是稀土元素掺杂的ABO3型钙钛矿氧化物材料。该材料结合了铁电材料优良的铁电、压电性能和稀土元素良好的发光特性，使得该材料具有发光性能的电场可调性，是一种具有铁电、压电和发光性能的多功能材料。
- 一种氯化镁诱导剂法合成鳞片状六钛酸钾的方法-201910337569.X
- 黄继芬;黄芾 - 唐山晶须复合材料制造有限公司
- 2019-04-25 - 2019-06-21 - C30B29/32
- 本发明涉及一种氯化镁诱导剂法合成鳞片状六钛酸钾的方法，属于无机盐陶瓷材料制造技术领域。技术方案是：添加的少量氯化镁在湿法混料过程中生成分子级的胶体状氢氧化镁，高温下发生化学反应，先形成微量的片状钛酸钾镁，在微量片状钛酸钾镁诱导下生长出了片状的六钛酸钾晶体，除去溶于水的氯化钾，剩下的就是鳞片状六钛酸钾。本发明获得的鳞片状六钛酸钾用于摩擦材料，耐磨、使用寿命长，摩擦系数几乎不随温度的变化而变化，制动无噪音，落灰少，不锈蚀轮毂，不产生环境污染。
- 一种钛酸钾晶须的制备方法-201811619323.3
- 席玉军 - 南通奥新电子科技有限公司
- 2018-12-28 - 2019-06-04 - C30B29/32
- 本发明是一种钛酸钾晶须的制备方法，所述钛酸钾晶须的制备包括如下步骤：混合，将钛盐和钾盐粉碎之后加入搅拌机进行搅拌，控制搅拌速度为200r/min，搅拌时长为30分钟，搅拌之后加入反应介质，并将原料与反应介质搅拌均匀，原料转出，使用超声高频振动器进行震动，再向原料中加入分散液，震动均匀，震动时间为1.5‑2小时；沉淀：将上述原料同时加入碱性溶剂至分散剂完全沉淀；分离：使用过滤法将沉淀物去除；干燥：将原料放入组合式干燥机中，再将原料放置于旋转蒸发器上；煅烧：将步骤4中得到的原料放入煅烧炉煅烧2.5‑3小时，冷却；洗涤：对原料进行洗涤，确保没有其他分子的存在；粉碎分类：将冷却之后的原料进行进一步粉碎，分级，即得到成品。
- 一种金属纤维离散材料的制备方法及其在管道材料中的应用-201910144501.X
- 徐超 - 徐超
- 2019-02-27 - 2019-05-31 - C30B29/32
- 本发明公开了一种金属纤维离散材料的制备方法：将偏钛酸与金属锌混合15～20分钟，搅拌均匀后放入炉中；首先将炉温从室温开始加热，2小时升至300～320℃，再次升温，6小时升到700～720℃，保温8小时，然后，4小时至900～920℃，保温4小时；然后开始降温，降至常温后取出粉碎，先一次粉碎，控制颗粒直径小于1厘米；一次粉碎后的物料进行球磨，球磨时间10～20小时，球磨后，在700℃～800℃热处理1小时，得到金属纤维离散材料。利用本发明所述方法制得的金属纤维离散材料，用于管道材料中，所得到的管道材料具有良好的耐摩擦性能，具有很好的耐磨性及抗热衰退性能，及较好的防化学腐蚀的性能。
- 一种钨酸盐激光晶体基质及其制备方法-201910218692.X
- 王国强;李凌云 - 福州大学
- 2019-03-21 - 2019-05-28 - C30B29/32
- 本发明涉及一种钨酸盐激光晶体基质及其制备方法，属于激光晶体材料领域。该钨酸盐晶体的化学式为：Na5Gd(WO4)4，属于四方晶系I41/a空间群。其晶胞参数为α=β=γ=90°，a=11.4937Å，b=11.4937Å,c=11.3998Å,Z=4。还提供了上述钨酸盐激光晶体的制备方法，采用熔盐顶部籽晶法，以Na2WO4作为助熔剂，生长参数为：生长温度950‑1000℃，转速5‑20转/分钟，降温速率0.5‑2℃/天，生长出Na5Gd(WO4)4晶体。本发明的晶体可以在固体激光器中作为激光工作物质使用。
- 一种导电钛酸钾晶须的制备方法-201610404418.8
- 邓昭平;周茜洋;杨倩 - 成都理工大学
- 2016-06-12 - 2019-05-17 - C30B29/32
- 提供一种制备导电钛酸钾晶须的方法，其特征是按以下步骤进行：取钛酸钾晶须，加入适量去离子水，按比例加入二氧化钛导电粉体，在搅拌下按比例加入锡盐、锑盐和五氧化二铌，最后加入适量还原剂(锌、镁、铁或者它们的混和物)，加完还原剂后反应60‑180分钟，用氨水调整pH值到2‑4范围，用离心机或者抽滤设备分离得到粘附导电二氧化钛粉体的钛酸钾晶须，洗涤2次，在130℃‑180℃范围烘干6‑13小时，在220℃‑350℃焙烧2.0‑5.0小时获得导电钛酸钾晶须。
- 一种激光诱导钨酸镉晶体生长方法-201710340416.1
- 高雪松 - 南京驭新光电技术有限公司
- 2017-05-15 - 2019-05-10 - C30B29/32
- 本发明的实施例提供了一种激光诱导钨酸镉晶体生长方法，步骤包括：将CdWO4籽晶置于坩埚下端，将CdWO4多晶料填装到坩埚内；将所述坩埚放入陶瓷管中，所述坩埚与陶瓷管的间隙填入Al2O3粉，将所述陶瓷管安放在加热炉炉体中的升降台上；将所述炉体温度上升至设置温度，进行晶体生长前籽晶的熔接；启动所述升降台下降，同时用激光辐照所述固液界面；所述晶体生长结束后，降低炉温至室温，将晶体从坩埚中剥离，获得CdWO4单晶。本发明采用坩埚下降法生长CdWO4晶体，晶体生长同时用激光辐照生长的晶体和熔体之间的固液界面进行诱导，实现了CdWO4晶体的稳定生长，可获得均匀透明的CdWO4单晶，且单晶具有良好的光学质量。
- 一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法-201511026067.3
- 田彦锋;许桂生;刘锦峰;朱秀 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 2015-12-30 - 2019-03-19 - C30B29/32
- 本发明涉及一种锰掺杂的钛镁酸铋‑钛酸铅压电单晶及其制备方法，所述锰掺杂的钛镁酸铋‑钛酸铅压电单晶具有ABO3型复合钙钛矿结构，其化学组成为(1‑x)Bi(Mg1/2Ti1/2)O3‑xPbTiO3+αMnO2；式中，0.14≤x≤0.42，x表示PbTiO3组分的摩尔比，锰离子作为掺杂离子取代B位，其掺杂浓度在0.1mol%≤α≤5mol%。本发明采用助溶剂方法，在化料前先进行预烧处理，与化料前不进行预烧处理相比，制备的单晶成分更为均匀，通过MnO2掺杂改性，降低了该体系的漏电流和介电损耗，使极化更为充分，提高了压电性能，高温应用潜力巨大。
- 含有PbTiO3的单晶的制备方法-201780043264.7
- 越前谷一彦 - 杰富意矿物股份有限公司
- 2017-06-28 - 2019-03-15 - C30B29/32
- 本发明提供能够高产率地制备防止单晶的组成变动和缺陷的产生、且在生长方向具有均匀特性的单晶的单晶制备方法。在通过垂直布里奇曼法制备含有PbTiO3的单晶的单晶制备方法中，使坩埚内积存有熔液的熔液层的厚度为30mm以上来制备单晶。
- 一种六磷酸根合锗酸镉蓝色荧光晶体材料的制备方法及用途-201611216688.2
- 宋俊玲;崔建秋 - 江南大学
- 2016-12-26 - 2019-03-01 - C30B29/32
- 本申请公开了一种新型晶体材料，其制备方法及应用。该晶体材料的化学式为Cd7Ge(PO4)6，属于三方晶系，空间群为R‑3，晶胞参数为
α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝3。该晶体材料表现出较好的蓝色荧光发射性能，最强发射峰在440nm处(最佳激发波长363nm)。此外，该晶体材料采用较温和的溶剂热制备方法，具有非常好的热稳定性。在工业和住宅照明、发光二极管、场发射显示器等领域有潜在的广泛的应用前景。
- 用于无中微子双贝塔衰变探测的钼酸钇钠晶体的制备方法-201811186469.3
- 潘尚可;张建裕;潘建国;陈红兵 - 宁波大学
- 2018-10-12 - 2019-02-12 - C30B29/32
- 本发明公开了一种用于无中微子双贝塔衰变探测的钼酸钇钠晶体的制备方法，其包括以下步骤：制备晶体生长原料；利用坩埚下降法使晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，生长出深蓝色透明的钼酸钇钠单晶；将深蓝色透明的钼酸钇钠单晶在温度为850℃～900℃的氧气气氛下保温24～48小时进行退火处理，退火过程中升温速率与降温速率均为40～60℃/小时，退火后得到无色透明的钼酸钇钠晶体；优点是由于晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，因此生长得到的透明的钼酸钇钠单晶呈深蓝色；而后在氧气气氛下退火处理可有效消除透明的钼酸钇钠单晶的着色现象，并提高透明的钼酸钇钠单晶的光输出，可用于探测无中微子双贝塔衰变。
- 一种钛酸铋钠纳米线及其制备方法-201811310707.7
- 朱哲;李俊鹏;李超 - 湘潭大学
- 2018-11-06 - 2019-01-29 - C30B29/32
- 本发明公开了一种具有条纹畴结构的高压电系数的钛酸铋钠纳米线。所述条纹畴沿钛酸铋钠纳米线的长度方向交替排列。本发明还公开了一种所述钛酸铋钠纳米线的制备方法，包括以下步骤：(1)配制钛酸铋钠前驱体溶液(2)水热合成钛酸铋钠纳米线。所述方法可制备得到具有规律条纹畴结构的钛酸铋钠纳米线。所述规律条纹畴结构可有效地提高钛酸铋钠纳米线的压电系数。
- 一种BCT/BZT体系无铅单晶外延多层储能薄膜及其制备方法-201810974118.2
- 刘明;孙梓雄 - 西安交通大学
- 2018-08-24 - 2018-12-21 - C30B29/32
- 本发明公开了一种BCT/BZT体系无铅单晶外延多层储能薄膜及其制备方法；该方法采用射频磁控溅射技术，通过等离子体对靶材的轰击在基片上得到了BCT/BZT多层薄膜，通过调节两种靶材的溅射时间，制备出相同厚度下不同周期的薄膜，制得的薄膜能够形成外延多层异质的结构，界面可以使部分电流路径终止于界面处，有效抑制了击穿的发生；且随着界面的增加对材料内部电流树枝的阻碍作用增强，在达到巨储能密度的同时，本发明制备出的储能薄膜拥有极高的能量效率，其中8周期的能量效率在65％以上，大部分在70％以上，而4周期样品的效率大部分能够大于80％。
- 一种以四钼酸钆钡为基质掺杂稀土元素镱钕的激光材料及其制备方法和应用-201610345797.8
- 刘广锦;黄润生;尹浩;李真;陈振强 - 暨南大学
- 2016-05-20 - 2018-10-09 - C30B29/32
- 本发明属于激光材料制备技术领域，公开了一种以四钼酸钆钡为基质掺杂稀土元素镱钕的激光材料及其制备方法和应用。该激光材料的化学式为BaYb2xNd2yGd2(1‑x‑y)(MoO4)4，其中0≤x≤0.1，0.01≤y≤0.1。本发明还提供了一种利用过高温固相合成法和单晶提拉法制备得到单晶激光材料的方法。本发明的激光材料可使用808nm激光激发，880nm激光激发，其具有热稳定性好，吸收效率高等特性，可用于1μm超快激光材料。本发明以四钼酸钆钡为基质，采用单晶提拉法制备，该制备方法简单易行，可通过设置合适的提拉程序，严格的保温系统，精细的操作流程得到四钼酸钆钡激光材料。
- 掺铬钨酸锂镁晶体及其制备与用途-201410007763.9
- 张莉珍;王国富;李凌云;林州斌;黄溢声 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2014-01-08 - 2018-09-28 - C30B29/32
- 本发明公开了一种掺铬钨酸锂镁晶体及其制备与用途。该晶体分子式为Cr3+：Li2Mg2(WO4)3，属于正交晶系，Pnma空间群，晶胞参数为
Z＝4。该晶体采用顶部籽晶熔盐法生长，以75at.％Li2WO4和25at.％WO3的混合物为助熔剂，助熔剂在生长原料中所占的浓度比为55～80at.％，生长参数为：降温速率0.5～5℃/天，生长温度800～880℃，转速5～30转/分钟。该晶体具有机械性能适中、发射截面大等特点，其可调谐范围在750～1050nm之间，有望成为一种新的可调谐激光晶体，并获得实际应用。
- 由片状原料合成钛酸钾镁片晶的合成方法-201610825274.3
- 黄继芬;邱敏 - 唐山晶须复合材料制造有限公司
- 2016-09-18 - 2018-09-04 - C30B29/32
- 本发明涉及一种由片状原料合成钛酸钾镁片晶的合成方法，属于无机盐陶瓷材料制造技术领域。技术方案是：将含钛原料、含钾原料和含镁原料在水溶液中进行湿法混料；同时加入水溶性乳化剂，混合均匀；进入滚筒刮板干燥机，得到混合均匀的片状原料；片状原料在高温炉中，以1～2℃/分钟的升温速率，升温至900～1100℃，停留3～6小时，自然冷却；在冲击磨中破碎分级，即得到成品。本发明合成出来的钛酸钾镁，不粘附陶瓷坩埚，块状体硬度低，易于实现自动化操作，且钛酸钾镁片晶产品均匀性优良，合成过程极为简单，能耗小，成本低，生产周期短，实现了零污染，收率大于99%，堆积密度0.60～0.70g/cm3,比表面积0.5～2.0m2/g，中位径D50为6.5～9.5µm。
- 燃烧法一步制备六钛酸钾晶须的方法-201610669676.9
- 刘畅;李冬雪;钱红亮;张海娟;宗建鹏;马春燕;杨祝红;陆小华 - 南京工业大学
- 2016-08-12 - 2018-08-28 - C30B29/32
- 本发明公开了一种燃烧法一步制备六钛酸钾晶须的方法，将含钛物质与含钾物质按TiO2/K2O的摩尔比为0.1～50：1计混合，然后在燃料和助燃剂作用下进行燃烧反应1～100min，反应后经洗涤、过滤和干燥，得到六钛酸钾晶须。与现有技术相比，本发明改进了多步法存在的不足，通过加入燃料和助燃剂为反应提供先决条件，通过一步法直接合成，方法简单、原材料价格低廉、合成产物时间短、效率高，为建筑材料领域和汽车工业等领域的发展奠定基础。
- 利用弯曲应力调控铁氧体单晶薄膜磁性的方法-201810315138.9
- 陆小力;黄玉瑶;姚会娟;王涛;张稀铁;张进成;郝跃 - 西安电子科技大学
- 2018-04-10 - 2018-08-10 - C30B29/32
- 本发明公开了一种利用弯曲应力调控铁氧体单晶薄膜磁性的方法，主要解决现有技术调控铁氧体磁场强度耗能大的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积方法在氧化镁做牺牲层的钛酸锶衬底上生长铁酸钴薄膜；2.在铁酸钴薄膜表面旋涂聚苯乙烯PS，用硫酸铵溶液除去氧化镁薄膜；3.将铁酸钴薄膜转移到后续所需的柔性衬底上，得到高质量的柔性自支撑铁酸钴薄膜；4.将转移到柔性衬底上的铁酸钴薄膜固定在凸模或凹模上，通过改变凸模或凹模的曲率半径使得铁酸钴薄膜发生连续应变，实现铁酸钴薄膜磁性的连续变化。本发明通过弯曲应力连续调控铁氧体单晶薄膜磁性，耗能小，且不增加器件尺寸，可用于制作柔性磁场强度传感器及存储器。
- 一种钛酸锶/钛酸铅单晶异质结复合材料及其制备方法-201711086356.1
- 任召辉;武梦姣;沈烨婷;韩高荣;沈鸽 - 浙江大学
- 2017-11-07 - 2018-04-17 - C30B29/32
- 本发明公开了一种SrTiO3/PbTiO3单晶异质结复合材料及其制备方法。该方法是以硝酸锶(Sr(NO3)2)、钛酸四正丁酯(TBOT)和钛酸铅(PbTiO3)纳米片作为主要原料，氢氧化钠(NaOH)作为矿化剂，通过调配各项原料物质的量，采用水热法实现SrTiO3/PbTiO3单晶异质结复合材料的合成。本发明工艺简单，易于控制，成本低，适合大规模生产。获得的外延复合薄膜表面完整连续，界面处平整，且SrTiO3在PbTiO3上的生长具有选择性。
- 一种六钛酸钠晶须隔热材料及其制备方法-201711146968.5
- 王周福;莫文琴;刘浩;王玺堂;马妍 - 武汉科技大学
- 2017-11-17 - 2018-04-03 - C30B29/32
- 本发明涉及一种六钛酸钠晶须隔热材料及其制备方法。其技术方案是将含钛废料进行热处理，粉磨，得粉磨料A；将50~70wt%的粉磨料A、10~20wt%的钛白粉和10~30wt%的热固性树脂混匀，压制成型，在1200~1400℃和中性气氛中热处理1~3小时，粉磨，得粉磨料B。将40~60wt%的粉磨料B、10~30wt%的无水碳酸钠和10~30wt%的三水乙酸钠混匀，研磨，得研磨料。将10~20wt%的粉磨料B、30~50wt%的研磨料、10~30wt%的石灰石颗粒和10~20wt%的石英砂粉混匀，压制成型，先后在600~800℃和900~1100℃分别热处理1~3小时，制得六钛酸钠晶须隔热材料。本发明原料来源广、生产成本低和工艺简单，所制制品的导热系数低、强度大和体积密度小。
- 一种摩擦材料用钛酸钾晶须的制造方法-201510247997.5
- 席玉军 - 南通奥新电子科技有限公司
- 2015-05-15 - 2018-03-27 - C30B29/32
- 本发明涉及一种钛酸钾晶须的制造方法，其制造方法具体如下首先，将生产原料碳酸钾和偏钛酸按11混合，加入含量为75%的水；其次，在混合悬浮液中加入0.01%～0.02%的硫，0.01%～0.02%的磷；然后，在混合悬浮液中加入3%～8%的助溶剂；最后，将混合悬浮液利用高温加热，析出晶体。其优点在于所述生产原料采用碳酸钾和偏钛酸，并按比例11混合，可制成六钛酸钾晶须，摩擦性能优良；晶须合成采用助溶剂法，助溶剂采用锰酸钾，可使晶须收率高，形貌好；混合悬浮液利用高温加热，并将温度控制在1000℃～1200℃之间，既可防止热导系数过高，又可防止晶须老化。
- 以含钛废料为原料的钛酸镁钾晶须及其制备方法-201711146969.X
- 王周福;杨新帅;刘浩;王玺堂;马妍 - 武汉科技大学
- 2017-11-17 - 2018-03-23 - C30B29/32
- 本发明涉及一种以含钛废料为原料的钛酸镁钾晶须及其制备方法。其技术方案是将含钛废料于1000~1300℃热处理，粉磨至粒度小于0.045mm，得粉磨料A；将50~70wt%的粉磨料A、10~20wt%的钛白粉和10~30wt%的热固性树脂混匀，得混合料，成型，于1200~1400℃和中性气氛中热处理1~3小时，破碎，粉磨至粒度小于0.088mm，得粉磨料B。将20~40wt%的混合料、10~20wt%的粉磨料B、20~40wt%的菱镁矿粉、10~20wt%的无水碳酸钾和10~20wt%的草酸钾混匀，研磨，先后经600~800℃和900~1100℃分别热处理1~3小时，粉磨至粒度小于0.088mm，制得以含钛废料为原料的钛酸镁钾晶须。本发明具有生产成本低和工艺简单的特点，所制制品的结晶度高和尺寸均匀。
- 铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法-201610345768.1
- 刘广锦;尹浩;李真;陈振强;朱思祁 - 暨南大学
- 2016-05-20 - 2018-03-20 - C30B29/32
- 本发明属于近红外上转换激光材料技术领域，公开了一种铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及其制备方法。所述材料为铥镱掺杂四钼酸钆钡单晶，其化学式为BaYb2xTm2yGd2(1‑x‑y)(MoO4)4，其中x＝0.01～0.1，y＝0.01～0.1。本发明还提供了一种上述激光材料的制备方法，通过高温固相合成法和单晶提拉法制备得到。本发明的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料光学性能好，具有较好的强度和化学稳定性，能为激活离子提供合适的晶体场，使其产生合适的发射，对阈值功率和输出水平具有很大影响，本基质材料的声子震荡相对减小，提高了上转换激光的运转效率，可应用于激光学和光谱学等领域中。
- 一类掺钐的钼酸盐激光晶体及其可见波段固体激光器件-201610553362.2
- 黄建辉;黄艺东;陈雨金;黄建华;龚兴红;林炎富;罗遵度 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2016-07-14 - 2018-01-23 - C30B29/32
- 一类掺钐的钼酸盐激光晶体及其可见波段固体激光器件，涉及固体激光材料和器件领域。该类晶体的分子式为ASmxRe1‑x(MoO4)2，其中x＝0.01～0.1；A为Li、Na、K碱金属元素中某一元素或若干元素的组合，Re为Y、La、Gd、Lu、Sc元素中某一元素或若干元素的组合。该类晶体不潮解，具有良好的机械和化学稳定性。采用此类晶体作为增益介质，可实现高性能的585～610nm和640～660nm波段可见固体激光输出。
- 一种六钛酸钾柱晶的合成方法-201610226163.0
- 黄继芬 - 唐山晶须复合材料制造有限公司
- 2016-04-13 - 2017-11-14 - C30B29/32
- 本发明涉及一种六钛酸钾柱晶的合成方法，属于无机盐陶瓷材料制造技术领域。技术方案是第一步混料，将含钛原料、含钾原料和少量含钠原料在水溶液中进行湿法混料，然后进行滚筒刮板干燥机干燥；第二步煅烧，在高温炉中，以1‑2℃/分钟的升温速率，升温至900‑1100℃，停留3‑6小时，自然冷却；第三步破碎和分级，在冲击磨中破碎分级，即得到成品。本发明合成出来的六钛酸钾柱晶，不同于一般的六钛酸钾或六钛酸钠，表现出了极其优秀的隔热性能，均匀性优良，合成过程极为简单，能耗小，成本低，生产周期短，实现了零污染，收率大于99%，堆积密度0.8～0.9g/cm2,柱晶的平均长度为5‑15微米，平均直径为0.8‑2.0微米，平均长径比为3‑10。
- 专利分类
