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[发明专利]锂电池的浮充充电系统及方法-CN202310909198.4在审
发明人：庄明照;原义栋;赵天挺;陈捷;张萌;刘寒明;陆蓉 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电池的浮充充电系统及方法，其中，浮充充电系统包括：主动均衡单元和控制单元，其中，主动均衡单元适于对锂电池进行均衡控制，控制单元与主动均衡单元相连，控制单元被配置为根据充电电源输出第一浮充电压，以对锂电池进行间歇充电，并在间歇期间，控制主动均衡单元对锂电池中待放电单元进行均衡放电，以输出第二浮充电压，第二浮充电压用于对锂电池进行回馈充电。该系统利用第一浮充电压对锂电池进行间歇充电，并在间歇期间，利用待放电单元的电能对锂电池进行回馈充电，降低浮充充电引起的电池的浓差极化和欧姆极化带来的影响，从而降低了浮充充电引起的活性锂离子损失。
锂电池充充电系统方法

[发明专利]动态偏置电路、输出级偏置补偿电路、轨到轨运放及芯片-CN202310694090.8在审
发明人：温立国;潘杰;李凡阳;原义栋;沈红伟;李梦姣 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;福州大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，公开一种动态偏置电路、输出级偏置补偿电路、轨到轨运放及芯片。所述动态偏置电路包括：差分共源输入级，其输入与前级输出相连，以及其输出与轨到轨运放的CLASS‑AB输出级的栅极相连，其中，响应于所述前级输出的变化，所述差分共源输入级的电流变化，以引发所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化；辅助放大级，用于放大所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化；以及反馈级，用于将经放大的所述CLASS‑AB输出级的栅极电压变化反馈至所述CLASS‑AB输出级的栅极，以通过引发所述CLASS‑AB输出级的栅极处的阻抗变化来动态调整所述CLASS‑AB输出级的偏置电压。本发明可动态调整CLASS‑AB输出级的偏置电压和控制路径上的尾电流，从而可同时增强压摆率及负载驱动能力。
动态偏置电路输出补偿轨到轨运放芯片

[发明专利]一种抗高压的轨到轨输入级电路及运算放大器-CN202310701608.6在审
发明人：潘杰;李凡阳;原义栋;沈红伟;温立国;李梦姣 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;福州大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种抗高压的轨到轨输入级电路及运算放大器，属于集成电路技术领域。所述轨到轨输入级电路包括：轨到轨输入模块，其通过多组N/P型低压器件互补差分对形成为恒跨导结构，用于接入并处理差分输入信号；抗高压模块，其包括设置在所述轨到轨输入模块的差分输出路径上的N/P型高压器件互补差分对，用于对所述轨到轨输入模块中的各个N/P型低压器件进行限压；以及共模反馈模块，连接所述抗高压模块中的各个N/P型高压器件的控制端，以向相应N/P型高压器件提供控制电压。据此，抗高压模块中的高压器件被共模反馈模块提供的控制电压所控制，进而改变相应高压器件的端口间电压，以实现对轨到轨输入模块中的低压器件的限压，避免低压器件被击穿。
一种高压轨到轨输入电路运算放大器

[发明专利]电流放大器、传感器读出电路和传感器-CN202310721590.6在审
发明人： 原义栋;潘杰;李凡阳;沈红伟;温立国;李梦姣 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;福州大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种电流放大器、传感器读出电路和传感器，属于集成电路技术领域。所述电流放大器包括输入斩波器、输入级电路、压控电流放大单元和输出斩波单元，其中：所述输入级电路的输入端通过所述输入斩波器接入差分电压信号VIN，其输出端连接所述压控电流放大单元，用于将所述差分电压信号转换成差分电流信号；所述压控电流放大单元被配置为提供针对所述差分电流信号的增益，且所述压控电流放大单元的输出端通过所述输出斩波单元来输出最终的电流信号IOUT。本发明实施例一方面能够利用输入输出端的斩波器来优化噪声和失调，另一方面还能够利用压控电流放大单元调节放大增益，可以适应于低功耗、低失调、低噪声的场景。
电流放大器传感器读出电路

[发明专利]输入偏置电流补偿电路、双极型输入轨到轨运放以及芯片-CN202310694091.2在审
发明人：潘杰;李凡阳;原义栋;沈红伟;温立国;李梦姣 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;福州大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，公开了一种输入偏置电流补偿电路、双极型输入轨到轨运放以及芯片。所述电路包括：采样电路，用于对轨到轨运放的输入级中的NPN输入管与PNP输入管的输入偏置电流进行采样；控制电路，用于控制在第一共模输入电平范围内导通所述NPN输入管的输入偏置电流并截止所述PNP输入管的输入偏置电流，以及控制在第二共模输入电平范围内截止所述NPN输入管的输入偏置电流并导通所述PNP输入管的输入偏置电流；以及镜像电路，用于提供所述NPN输入管的输入偏置电流的NPN镜像电流与所述PNP输入管的输入偏置电流的PNP镜像电，并输出所述NPN镜像电流与所述PNP镜像电流的叠加电流。本发明通过分段补偿来适应不同共模输入范围产生的输入偏置电流变化。
输入偏置电流补偿电路双极型轨到轨运放以及芯片

[发明专利]电容衰减检测电路、方法以及电容隔离芯片-CN202310739240.2在审
发明人：刘放;原义栋;赵天挺;杨鑫;卓越;冯建宇;王宇辰 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容衰减检测电路、方法以及电容隔离芯片，用于隔离电容器，隔离电容器连接在发送机的输出端和接收机的输入端之间，用于实现发送机与接收机之间的隔离通信，检测电路包括：比较子电路，比较子电路的输入端与接收机的输入端连接，比较子电路用于通过隔离电容器接收隔离通信信号，并将隔离通信信号与预设基准信号进行比较，输出比较结果，其中，比较结果用于判定隔离电容器是否发生衰减。该电路可对高压隔离电容隔离性能的衰减情况进行实时检测，并且该检测为非破坏性检测。
电容衰减检测电路方法以及隔离芯片

[发明专利]可控硅器件、可控硅器件制作方法、芯片及电路-CN202310777035.5在审
发明人：周世聪;朱信宇;原义栋;赵天挺;沈红伟;董树荣;苗清;张萌 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可控硅器件、可控硅器件制作方法、芯片及电路，属于半导体器件领域，该器件包括：衬底；第一阱区；第二阱区、第一注入区和第三阱区，沿衬底长度方向形成在第一阱区内；第二注入区和第三注入区，分别形成于第二阱区和第三阱区内；第四注入区和第五注入区，分别形成于第二注入区和第三注入区内；第一多晶硅层和第二多晶硅层，分别形成于第一注入区两侧的衬底表面；第一隔离槽和第二隔离槽，分别形成于第一注入区两侧；第四注入区和第一多晶硅层通过金属连线接入电学阳极，第五注入区和第二多晶硅层通过金属连线接入电学阴极。通过本发明提供的器件，能够提供更高的ESD保护能力，电流走向更为均匀，提高器件响应速度。
可控硅器件制作方法芯片电路

[发明专利]比较器、芯片及电子设备-CN202310780940.6在审
发明人： 原义栋;苏萌;张蕊;赵天挺;胡毅;李振国;沈红伟;侯佳力;王亚彬 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种比较器、芯片及电子设备，其中，比较器包括：预放大电路、锁存电路和校正电路，校正电路包括第一校正单元、存储单元和第二校正单元，第一校正单元与预放大电路的差分输入端相连，预放大电路的差分输出端通过存储单元与锁存电路的差分输入端相连，第二校正单元与锁存电路的差分输入端相连，其中，在失调存储阶段，通过第一校正单元将预放大电路的输入失调电压存储至存储单元，通过第二校正单元将锁存电路的输入失调电压存储至存储单元，以在信号比较阶段，通过存储单元的电压校正预放大电路的输入失调电压和锁存电路的输入失调电压，由此，使比较器具有较高的比较精度。
比较芯片电子设备

[发明专利]芯片以及PCB板组件-CN202310790286.7在审
发明人：潘杰;李春龙;沈红伟;原义栋;黄辉;刘鑫;路永玲 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网智能电网研究院有限公司;国网安徽省电力有限公司;国网江苏省电力有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片以及PCB板组件，芯片包括：芯片主体；磁场抵消件，所述磁场抵消件与所述芯片主体相邻设置，所述磁场抵消件被配置为在所述芯片外部的磁场发生变化时产生感应电流以使所述磁场抵消件产生抵抗外部磁场的感应磁场。由此，通过设置磁场抵消件，当芯片主体外部的磁场变化时，磁场抵消件内能够产生感应电流，从而能够产生感应磁场，感应磁场能够抵抗外部磁场以降低芯片主体所受到的总磁场强度，进而能够降低外部磁场对芯片主体的影响，有利于提高芯片主体的使用可靠性。
芯片以及 pcb 组件

[发明专利]电池数据估计方法、装置、存储介质及电子设备-CN202310706878.6在审
发明人：王乐红;宋海飞;陈捷;李小娟;贾国强;沈红伟;原义栋;闪俊杰 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01R31/392 文献下载
摘要：本申请公开了一种电池数据估计方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：检测当前时刻的端电压和电流，并获取上一时刻估计的目标电池的内部温度和荷电状态；根据上一时刻估计的内部温度和荷电状态、当前时刻的端电压和电流、以及已创建的第一离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的内部温度；根据上一时刻估计的荷电状态、当前时刻的内部温度、端电压和电流、以及已创建的第二离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的健康状态；根据上一时刻估计的荷电状态、当前时刻的健康状态、当前时刻的内部温度和已创建的第三离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的荷电状态，从而实现三者的联合闭环在线估计，提高了估计结果的准确性。
电池数据估计方法装置存储介质电子设备

[发明专利]电流偏置电路、芯片及相应的电子装置-CN202310484302.X在审
发明人：侯佳力;原义栋;胡毅;赵天挺;李振国;王亚彬;苏萌;苏伟;宋海飞 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种电流偏置电路、芯片及相应的电子装置，所述电路包括：P型MOSFET电流镜模块，所述P型MOSFET电流镜模块的第三端连接于P型快速启动模块，P型快速启动模块包括多个电容和多个开关；N型MOSFET电流镜模块，N型MOSFET电流镜模块的第三端连接于N型快速启动模块，N型快速启动模块包括多个电容和多个开关。该电路通过在包括共源共栅电流镜的电流偏置电路中加入多个电容，从而可以基于该多个电容之间的电荷分享的作用，将关键节点迅速建立到目标值附近，在加快了启动速度的同时也减小了电流过冲，并可以减小电路中的电阻。
电流偏置电路芯片相应电子装置

[发明专利]寄生电容的消除电路、电容式微机电系统及芯片-CN202310204908.3在审
发明人：沈红伟;原义栋;卢昱;张清松;廖煜鑫;鲁浩然;闵昊;许玉洁 -专利权人：北京智芯半导体科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;复旦大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H03F3/217 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，公开一种寄生电容的消除电路、电容式微机电系统及芯片，所述消除电路包括：第一运算放大器；反馈电容，跨接在第一运算放大器的同相输入端与输出端之间，用于将第一运算放大器的输出信号反馈至所述第一运算放大器的同相输入端；以及第一开关电容电路，跨接在所述第一运算放大器的反相输入端与输出端之间，用于执行以下操作：接收时钟控制信号；以及根据所述时钟控制信号执行以下操作：在一周期的第一时段内进行放电，以及在该周期的第二时段内进行充电，以使得所述第一运算放大器的同相输入端产生对地的负电容，由此可有效地消除大范围内的寄生电容，从而提高电容式微机电系统的输出电压的摆幅和线性。
寄生电容消除电路式微机电系统芯片

[发明专利]低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统-CN202211327228.2有效
发明人：赵东艳;卓越;原义栋;赵天挺;杨鑫;吴文欢;刘放;冯建宇;李军;李艳琴;张萌 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
emi 变换器电路电子装置芯片电力传输系统

[发明专利]模数转换器及芯片-CN202310226260.X在审
发明人：沈红伟;原义栋;卢昱;张清松;廖煜鑫;鲁浩然;闵昊;许玉洁 -专利权人：北京智芯半导体科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;复旦大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，公开一种模数转换器及芯片，所述模数转换器包括：第一、第二无源开关电容积分器；两个电容性模数转换阵列；控制逻辑电路，用于在所述阵列中的电容复位时，闭合第一无源开关电容积分器中的第一、第二开关组以输出第一残差电压，以及闭合第二无源开关电容积分器中的第三、第四开关组以使输出第二残差电压；以及双差分输入比较器，用于接收第一残差电压与当前预设周期的输入电压之和作为第一差分输入信号，接收第二残差电压作为第二差分输入信号，以及输出比较结果，所述控制逻辑电路还用于根据比较结果，输出多个开关控制信号至电容性模数转换阵列，以输出当前预设周期的数字数据，由此可有效抑制信号带内的量化噪声。
转换器芯片

[发明专利]基于控制器域网CAN总线的芯片测试方法和装置-CN202310267673.2在审
发明人：孙云龙;张学磊;孙昕;原义栋;李思琦 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种基于控制器域网CAN总线的芯片测试方法、装置，应用于与至少两个芯片测试板连接的CAN测试盒，所述方法包括：接收第一开始测试指令，第一测试指令包括身份识别标识，且第一开始测试指令用于指示身份识别标识指示的目标芯片测试板开始测试目标任务；响应于第一开始测试指令，将第一开始测试指令转换为遵循CAN总线协议的第二开始测试指令，目标芯片测试板为至少两个芯片测试板中的芯片测试板；通过CAN总线发送第二开始测试指令。该方法可以通过CAN总线将遵循CAN总线协议的开始测试指令传输至至少两个芯片测试板以进行测试，从而可以实现批量芯片测试且测试线路简洁，也降低了测试成本。
基于控制器 can 总线芯片测试方法装置

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