[发明专利]一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811157384.2 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109473378A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘希飞;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆刻蚀设备及晶圆刻蚀方法，刻蚀腔体提供包含HBr的刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀；热处理腔体包括加热系统及排气系统，且热处理腔体的工作温度不小于刻蚀腔体的工作温度，晶圆经刻蚀腔体刻蚀后，进入热处理腔体，并通过加热系统及排气系统排除晶圆表面残留的HBr。通过包括加热系统及排气系统的热处理腔体，在晶圆没有降温的前提下，去除晶圆表面残留的HBr，从而减少氢溴酸对半导体设备的腐蚀，使半导体设备的寿命得以延长；减少晶圆表面HBr凝结的产生，提供产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 热处理腔体 刻蚀 加热系统 晶圆表面 刻蚀腔体 排气系统 半导体设备 刻蚀设备 种晶 残留 刻蚀气体 氢溴酸 去除 凝结 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆刻蚀设备，其特征在于：所述晶圆刻蚀设备包括：刻蚀腔体，所述刻蚀腔体提供包含HBr的刻蚀气体，以对晶圆进行刻蚀；热处理腔体，所述热处理腔体包括加热系统及排气系统，且所述热处理腔体的工作温度不小于所述刻蚀腔体的工作温度，所述晶圆经所述刻蚀腔体刻蚀后，进入所述热处理腔体，并通过所述加热系统及排气系统排除所述晶圆表面残留的HBr。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
