[发明专利]半导体封装及其制造方法有效
| 申请号： | 201811107041.5 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109599382B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王圣民;陈天赐;沈文智;李兴文;冯相铭 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体衬底，其包含：具有第一表面及第二表面的第一介电层，在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的第一导电通孔，在所述第一表面上的第一图案化导电层，及在所述第二表面上的第二图案化导电层。所述第一导电通孔包含在所述第一表面上的底部图案及在所述第二表面上的第二图案化导电层。所述底部图案具有分别对应于至少两个几何图案的至少两个几何中心，且一个几何中心与所述两个几何图案的相交点之间的距离为几何半径。所述至少两个几何中心之间的距离为所述几何半径的1.4倍。还提供一种用于制造本文中所描述的所述半导体衬底的方法及一种具有所述半导体衬底的半导体封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，其包括：第一介电层，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一导电通孔，其在所述第一表面与所述第二表面之间延伸，所述第一导电通孔包括：在所述第一表面处的底部图案；及在所述第二表面处的顶部图案；第一图案化导电层，其在所述第一表面上；及第二图案化导电层，其在所述第二表面上；其中所述底部图案包括分别对应于至少两个几何图案的至少两个几何中心，且一个几何中心与所述两个几何图案的相交点之间的距离为几何半径；且其中所述至少两个几何中心之间的距离为所述几何半径的1.4倍。
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