[发明专利]闪存的操作方法

摘要

本发明公开了一种闪存的操作方法，闪存的存储单元包括横向依次排列的漏区、第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和源区；第一栅极结构由第一栅介质层和多晶硅选择栅叠加而成；第二栅极结构由第二栅介质层和多晶硅浮栅叠加而成；第三栅极结构由第三栅介质层和多晶硅擦除栅叠加而成。读操作包括：在多晶硅选择栅上加第一正电压使第一栅极结构所覆盖的区域的沟道导通；漏区加大于源区的电压使所述沟道区表面的沟道导通使形成源漏电流；多晶硅擦除栅上加小于擦除电压第二正电压，第二正电压通过耦合区域的耦合减少隧穿介质层和第二栅介质层中俘获电子对读取电流窗口的影响。本发明能增加读取电流窗口，还能增加电源的稳压电容。

主权项

1.一种闪存的操作方法，其特征在于：闪存的存储单元包括：第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、源区和漏区；所述第一栅极结构由形成于半导体衬底表面的第一栅介质层和多晶硅选择栅叠加而成；所述第二栅极结构由形成于半导体衬底表面的第二栅介质层和多晶硅浮栅叠加而成；所述第三栅极结构由形成于半导体衬底表面的第三栅介质层和多晶硅擦除栅叠加而成；所述多晶硅浮栅的第二侧面和所述多晶硅擦除栅的第一侧面之间具有耦合区域，在所述耦合区域中设置有隔离所述多晶硅浮栅和所述多晶硅擦除栅的隧穿介质层，所述多晶硅擦除栅通过所述耦合区域擦除所述多晶硅浮栅中的电子；所述源区位于所述第三栅极结构的底部，所述漏区位于所述第一栅极结构的第一侧面外的所述半导体衬底表面上且所述漏区和所述第一栅极结构的第一侧面自对准；由位于所述源区和所述漏区之间的所述半导体衬底组成沟道区；所述闪存的操作方法中的读操作的步骤包括：在所述多晶硅选择栅上加第一正电压使所述第一栅极结构所覆盖的区域的沟道导通；所述漏区加大于所述源区的电压使所述沟道区表面的沟道导通使形成源漏电流；所述多晶硅擦除栅上加第二正电压，所述第二正电压小于擦除电压，所述第二正电压通过所述耦合区域的耦合减少所述隧穿介质层和所述第二栅介质层中俘获电子对读取电流窗口的影响，从而增加读取电流窗口。