[发明专利]埋入式字线结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种埋入式字线结构及其制备方法，该结构包括半导体衬底、字线沟槽、栅介质层、氧阻隔内衬层及漏电抑制层。字线金属填充于字线沟槽中，且字线金属的第二顶面低于所述有源区的第一顶面，以形成一容置槽于字线金属上方，氧阻隔内衬层覆盖于字线金属表面，且氧阻隔内衬层上方保留有容置空间，氧阻隔内衬层用以抑制氧渗入至字线金属而造成字线金属的氧化；漏电抑制层，填充于容置空间，漏电抑制层的介电常数低于所述氧阻隔内衬层。本发明通过在字线金属表面覆盖氧阻隔内衬层，能在随后的加热工艺其间，抑制氧渗入至字线金属而造成字线金属的氧化，从而能够增强字线金属的抗氧化能力并提高字线晶体管的可靠性。

主权项

1.一种埋入式字线结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底中具有沟槽隔离结构，藉由所述沟槽隔离结构于所述半导体衬底隔离出若干个有源区；2)刻蚀形成若干个字线沟槽于所述半导体衬底中，所述字线沟槽延伸贯穿所述有源区的第一顶面；3)形成栅介质层于所述字线沟槽的底部及侧壁；4)填充字线金属于所述字线沟槽中，并回刻去除部分所述字线金属，使得回刻后所述字线金属的第二顶面低于所述有源区的第一顶面，以形成一容置槽于所述字线金属上方的所述字线沟槽中，所述容置槽由所述字线金属的第二顶面及位于所述字线沟槽侧壁的所述栅介质层围成；5)于所述容置槽中形成氧阻隔内衬层，所述氧阻隔内衬层实质覆盖所述字线金属的第二顶面并延伸覆盖所述栅介质层在所述字线沟槽侧壁的部分，所述氧阻隔内衬层上方保留有容置空间，所述氧阻隔内衬层用以抑制氧渗入至所述字线金属而造成所述字线金属的氧化；以及6)于所述容置空间内填充漏电抑制层，其中，所述漏电抑制层的介电常数低于所述氧阻隔内衬层。