[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201810652477.6 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN110634820B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上的分立的鳍部，鳍部的材料为SiGe或III‑V族半导体材料；形成横跨鳍部的栅极层，栅极层覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在栅极层两侧的鳍部内形成凹槽，凹槽的底部露出衬底；在凹槽内形成半导体层，半导体层材料的导热系数大于鳍部材料的导热系数，半导体层底部与凹槽底部的剩余衬底相接触，且半导体层顶部低于鳍部顶部；在形成有半导体层的凹槽内形成源漏掺杂层。本发明通过采用导热系数更高的半导体层代替源漏掺杂层下方的鳍部，从而提高了器件的散热性能，改善自发热效应，进而使器件性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，包括衬底以及位于所述衬底上的分立的鳍部，所述鳍部的材料为SiGe、Ge或III-V族半导体材料；/n形成横跨所述鳍部的栅极层，所述栅极层覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；/n在所述栅极层两侧的鳍部内形成凹槽，所述凹槽的底部露出所述衬底；/n在所述凹槽内形成半导体层，所述半导体层材料的导热系数大于所述鳍部材料的导热系数，所述半导体层底部与所述凹槽底部的剩余衬底相接触，且所述半导体层顶部低于所述鳍部顶部；/n在形成有所述半导体层的凹槽内形成源漏掺杂层。/n
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