[发明专利]一种在碳化硅基片上生长氧化层的方法在审
| 申请号： | 201810593855.8 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN108847384A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 何志 | 申请（专利权）人： | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京志霖律师事务所 11575 | 代理人： | 张文祎 |
| 地址： | 400714 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在碳化硅基片上生长氧化层的方法，包括如下步骤：S1：在碳化硅基片(1)的表面覆盖一掩膜层(2)，然后对掩膜层(2)进行图形化处理，使得碳化硅基片(1)表面的第一待氧化区域裸露，其第二待氧化区域被掩膜层(2)覆盖；S2：向第一待氧化区域注入氧离子和氮离子(3)，在碳化硅基片(1)的表面形成一离子注入层(4)；S4：进行高温热氧化处理，在所述碳化硅基片(1)的表面形成一氧化层(5)，且离子注入层(4)的氧化层(5)厚度大于碳化硅基片(1)表面其余区域的氧化层(5)厚度。所述方法通过氧离子的注入使得碳化硅表面非晶化，提高了氧化速度，同时通过氮离子的注入降低了二氧化硅与碳化硅界面态密度，从而可以提高了二氧化硅与碳化硅界面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅基片 氧化层 氧化区域 掩膜层 离子注入层 表面形成 二氧化硅 氮离子 碳化硅 高温热氧化 界面态密度 碳化硅表面 图形化处理 注入氧离子 表面覆盖 非晶化 氧离子 生长 裸露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种在碳化硅基片上生长氧化层的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在所述碳化硅基片(1)的表面覆盖一掩膜层(2)，然后对掩膜层(2)进行图形化处理，使得所述碳化硅基片(1)表面的第一待氧化区域裸露，其第二待氧化区域被掩膜层(2)覆盖；S2：向第一待氧化区域注入所述氧离子和氮离子(3)，在所述碳化硅基片(1)的表面形成一所述离子注入层(4)；S4：进行高温热氧化处理，在所述碳化硅基片(1)的表面形成一所述氧化层(5)，且所述离子注入层(4)的所述氧化层(5)厚度大于所述碳化硅基片(1)表面其余区域的所述氧化层(5)厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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