[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810559303.5 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108987561B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 韩胤声;高昇必 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。所述半导体器件包括：衬底，包括单元区及外围区；磁性隧道结图案，位于所述单元区上；顶盖绝缘层，覆盖所述磁性隧道结图案的侧壁；以及上部绝缘层，包括位于所述顶盖绝缘层上的第一部分及位于所述外围区上的第二部分。所述第二部分的底表面的水平高度低于所述顶盖绝缘层的底表面的水平高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，包括单元区及外围区；磁性隧道结图案，位于所述单元区上；顶盖绝缘层，覆盖所述磁性隧道结图案的侧壁；以及上部绝缘层，包括位于所述顶盖绝缘层上的第一部分及在所述外围区中位于所述衬底上的第二部分，其中所述第二部分的底表面被设置成低于所述顶盖绝缘层的底表面。
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- 本发明公开了一种具有有机磁阻效应的分子电子器件及其应用，分子电子器件为层状结构，从下至上依次为第一碳层、有机分子层、第二碳层和金层，所述第一碳层中的横截面包括之间形成有间隔的多个平行的第一长方形，所述第二碳层的横截面包括之间形成有间隔的多个平行的第二长方形，所述第一长方形的长度方向与所述第二长方形的长度方向垂直，所述金层的横截面与所述第二碳层的横截面重合。本发明分子电子器件的碳分子结具有有机磁阻现象，在施加磁场后，分子电子器件具有相对于正负磁场高度对称的正磁电阻特性。
- 自旋轨道矩磁性器件、磁性隧道结器件及磁存储器-202010384553.7
- 王子路;赵巍胜;曹凯华;乔俊峰 - 北京航空航天大学
- 2020-05-08 - 2022-07-12 - H01L43/02
- 本申请提供了一种自旋轨道矩磁性器件、磁性隧道结器件及磁存储器，该自旋轨道矩磁性器件包括：第一磁性自由层、金属耦合层以及第二磁性自由层，所述金属耦合层设置在所述第一磁性自由层的上方，所述第二磁性自由层设置在所述金属耦合层上方；所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层具有垂直磁各向异性；所述金属耦合层用于提供交换相互作用以使所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层实现反铁磁耦合。
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