[发明专利]形成具有凹槽的金属接合件有效
| 申请号： | 201810448078.8 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN109786348B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;陈宪伟;叶松峯;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括形成第一器件管芯，其中，该形成包括沉积第一介电层，以及在第一介电层中形成第一金属焊盘。第一金属焊盘包括凹槽。该方法还包括形成第二器件管芯，其中，第二器件管芯包括第二介电层和位于第二介电层中的第二金属焊盘。将第一器件管芯接合至第二器件管芯，其中，第一介电层接合至第二介电层，并且第一金属焊盘接合至第二金属焊盘。本发明的实施例还涉及形成具有凹槽的金属接合件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 凹槽 金属 接合 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成第一器件管芯，包括：沉积第一介电层；以及在所述第一介电层中形成第一金属焊盘，其中，所述第一金属焊盘包括与所述第一金属焊盘的边缘部分相邻的第一凹槽；形成第二器件管芯，包括：第二介电层；以及第二金属焊盘，位于所述第二介电层中；以及将所述第一器件管芯接合至所述第二器件管芯，其中，将所述第一介电层接合至所述第二介电层，并且将所述第一金属焊盘接合至所述第二金属焊盘。
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