[发明专利]互补金属氧化物半导体传感器及其形成方法

摘要

本发明实施例提供一种互补金属氧化物半导体传感器及其形成方法。互补金属氧化物半导体传感器包括半导体衬底、介电层、互连、接合垫以及虚设图案。半导体衬底具有像素区和电路区。介电层被所述电路区中的所述半导体衬底环绕。互连设置在所述电路区中的所述介电层上。接合垫设置在所述电路区中的所述介电层中且电连接至所述互连。虚设图案设置在所述电路区中的所述介电层中且环绕所述接合垫。

主权项

1.一种互补金属氧化物半导体传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，具有像素区和电路区；介电层，被所述电路区中的所述半导体衬底环绕；互连，设置在所述电路区中的所述介电层上；接合垫，设置在所述电路区中的所述介电层中且电连接至所述互连；以及虚设图案，设置在所述电路区中的所述介电层中且环绕所述接合垫。