[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810403205.2 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN109411532A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 申洪湜;金泰坤;雄一朗·佐佐木 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：衬底，包括定义有源区的场区；源区/漏区，位于有源区中；沟道区，位于源区/漏区之间；轻掺杂漏(LDD)区，位于源区/漏区中的一个与沟道区之间；以及栅极结构，位于沟道区上。有源区的上部部分可包括外延生长层，所述外延生长层的晶格常数大于硅(Si)的晶格常数，且源区/漏区以及LDD区可掺杂有镓(Ga)。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 漏区 沟道区 半导体装置 外延生长层 晶格常数大于硅 晶格常数 轻掺杂漏 栅极结构 场区 衬底 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，包括定义有源区的场区；源区/漏区，位于所述有源区中；沟道区，位于所述源区/漏区之间；轻掺杂漏区，位于所述源区/漏区中的一个与所述沟道区之间；以及栅极结构，位于所述沟道区上，其中所述有源区的上部部分包括外延生长层，所述外延生长层的晶格常数大于硅的晶格常数，以及其中所述源区/漏区及所述轻掺杂漏区掺杂有镓。
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