[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，包括：衬底，包括定义有源区的场区；源区/漏区，位于有源区中；沟道区，位于源区/漏区之间；轻掺杂漏(LDD)区，位于源区/漏区中的一个与沟道区之间；以及栅极结构，位于沟道区上。有源区的上部部分可包括外延生长层，所述外延生长层的晶格常数大于硅(Si)的晶格常数，且源区/漏区以及LDD区可掺杂有镓(Ga)。

相关申请的交叉参考

本申请主张2017年8月17日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请第10-2017-0104160号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本案供参考。

技术领域

本公开涉及半导体装置，且特别是涉及在沟道区中具有提高的迁移率特性的载流子的半导体装置。

背景技术

随着电子行业已快速发展且随着用户需求增加，电子装置变得更小且更轻。具有高集成度的半导体装置是电子装置中所需的，因此半导体装置的元件的设计规则也随之减小。此外，对于高速半导体装置的需求逐渐增大。已部分地进行了各种研究以满足半导体装置的高集成度和高速的要求。

发明内容

本公开提供半导体装置，所述半导体装置可在其沟道区中具有提高的迁移率特性的载流子。

根据本公开的一方面，提供一种半导体装置。所述半导体装置可包含：衬底，包括定义有源区的场区；源区/漏区，位于有源区中；沟道区，位于源区/漏区之间；轻掺杂漏(LDD)区，位于源区/漏区中的一个与沟道区之间；以及栅极结构，位于沟道区上。所述有源区的上部部分可包含外延生长层，外延生长层的晶格常数大于硅(Si)的晶格常数，且源区/漏区以及轻掺杂漏区可掺杂有镓(Ga)。

根据本公开的另一方面，提供一种半导体装置。所述半导体装置可包含：衬底，具有第一晶体管区以及第二晶体管区且由第一材料形成；第一有源区，形成于第一晶体管区中；以及第二有源区，形成于第二晶体管区中且包含源区/漏区以及沟道区。第一有源区的上部区可包含第一外延生长层，第一外延生长层包含第一材料，且第二有源区的上部部分可包含第二外延生长层，所述第二外延生长层包含超过50原子百分比(at％)的第二材料。第二材料可以不同于第一材料，源区/漏区可掺杂有镓(Ga)，且第一有源区和第二有源区中的每一个的顶部表面可以是平坦的。

根据本公开的另一方面，提供一种半导体装置。所述半导体装置可包含：有源区，具有沟道区和掺杂有镓(Ga)的源区/漏区；沟道硅锗(c-SiGe)层，构成所述有源区的上部部分且包含超过50原子百分比(at％)的Ge；以及栅极结构，设置于所述沟道硅锗(c-SiGe)层上且包含高介电常数栅极绝缘层以及金属栅极电极。

附图说明

结合附图及以下详细描述，将更加清楚地理解本公开的各个方面，在附图中：

图1到图11是用于描述根据本公开的方面的半导体装置的制造方法的截面图。

图12是绘示根据本公开的方面的薄层电阻相对于用于半导体装置中的杂质的剂量的曲线图。

图13是根据本公开的方面的包含半导体装置的系统的配置的视图。

附图标号说明：

10：半导体装置

101：衬底

111：第一半导体层

111'：n型LDD区

111：n型源区/漏区

111T：顶部表面

120：p型沟道区

121：第二半导体层

121'：p型轻掺杂漏(LDD)区