[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底，包括定义有源区的场区；

源区/漏区，位于所述有源区中；

沟道区，位于所述源区/漏区之间；

轻掺杂漏区，位于所述源区/漏区中的一个与所述沟道区之间；以及

栅极结构，位于所述沟道区上，

其中所述有源区的上部部分包括外延生长层，所述外延生长层的晶格常数大于硅的晶格常数，以及

其中所述源区/漏区及所述轻掺杂漏区掺杂有镓。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述外延生长层包括硅锗层，所述硅锗层包含超过50原子百分比的锗。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述源区/漏区中的镓的剂量为5E13原子/平方厘米至5E15原子/平方厘米。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述轻掺杂漏区中的镓的剂量为1E13至2E15原子/平方厘米。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述外延生长层的顶部表面是大体上平坦的。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，其中所述外延生长层在所述源区/漏区的厚度、所述外延生长层在所述轻掺杂漏区的厚度以及所述外延生长层在所述沟道区的厚度大体上相同。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述栅极结构为平面结构。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中所述栅极结构包括高介电常数介电栅极绝缘层以及金属栅极电极。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中所述场区为浅沟槽隔离区。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，其中所述浅沟槽隔离区的顶部表面以及所述外延生长层的顶部表面大体上共面。

11.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底，包括第一晶体管区及第二晶体管区且包括第一材料；

第一有源区，位于所述第一晶体管区中；以及

第二有源区，位于所述第二晶体管区中且包括源区/漏区及沟道区，

其中：

所述第一有源区的上部区包括第一外延生长层，所述第一外延生长层包括所述第一材料，

所述第二有源区的上部部分包括第二外延生长层，所述第二外延生长层包括超过50原子百分比的第二材料，

所述第二材料不同于所述第一材料，

所述源区/漏区掺杂有镓，以及

所述第一有源区和所述第二有源区中的每一个的顶部表面是平坦的。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，其中所述第二外延生长层的晶格常数大于所述衬底的晶格常数。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，其中所述第二外延生长层因晶格常数不匹配而产生应变。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，其中所述第二外延生长层包括张力应变的硅锗。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还包括轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区位于所述源区/漏区中的一个与所述沟道区之间并且掺杂有镓，

其中所述轻掺杂漏区的镓的第一剂量低于所述源区/漏区的镓的第二剂量。