[发明专利]在氮化物半导体上沉积氮化硅（SiN）膜的方法有效
| 申请号： | 201810282155.7 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108695139B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 住吉和英 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;张珂珂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种在氮化物半导体层上形成作为钝化膜的氮化硅膜的方法。该方法首先设定低于500℃的温度以装入其上具有氮化物半导体层的晶圆。然后，当置换气氛至纯氨气(NH |
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| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 沉积 氮化 sin 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在氮化物半导体材料上沉积氮化硅(SiN)膜的方法，该方法包括以下步骤：在低于500℃的第一温度下将所述氮化物半导体材料装入生长反应器中；用纯氨气(NH3)或NH3分压大于0.2的氨气(NH3)和氮气(N2)的混合气体吹扫所述生长反应器；使所述生长反应器保持在高于3kPa的第一压力下，同时将所述生长反应器中的温度从所述第一温度升高至高于750℃的第二温度；在所述第二温度下，将所述生长反应器中的压力从所述第一压力减压至低于100Pa的第二压力；通过开始供给二氯硅烷(SiH2Cl2)，在所述氮化物半导体材料上沉积SiN膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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