[发明专利]在氮化物半导体上沉积氮化硅（SiN）膜的方法有效
| 申请号： | 201810282155.7 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108695139B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 住吉和英 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;张珂珂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 沉积 氮化 sin 方法 | ||
1.一种通过低压化学气相沉积法在氮化物半导体材料上沉积氮化硅(SiN)膜的方法，该方法包括以下步骤：
在低于500℃的第一温度下将所述氮化物半导体材料装入生长反应器中；
用纯氨气(NH3)或NH3分压大于0.2的氨气(NH3)和氮气(N2)的混合气体吹扫所述生长反应器；
使所述生长反应器保持在高于3kPa的第一压力下，同时将所述生长反应器中的温度从所述第一温度升高至高于750℃的第二温度；
在所述第二温度下，将所述生长反应器中的压力从所述第一压力减压至低于100Pa的第二压力；
通过开始供给二氯硅烷(SiH2Cl2)，在所述氮化物半导体材料上沉积SiN膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述吹扫生长反应器的步骤包括使用NH3和N2的混合气体吹扫所述生长反应器的步骤，其中所述混合气体的NH3分压大于0.6且小于1.0。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二温度低于900℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一压力大于10kPa。
5.一种形成氮化物半导体器件的方法，包括以下步骤：
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在衬底上连续地生长半导体层，所述半导体层包括位于其顶部的氮化物半导体层；
通过低压化学气相沉积法在所述氮化物半导体层上形成由氮化硅(SiN)制得的钝化膜，步骤如下：
在低于500℃的第一温度下将所述衬底装入生长反应器中，在纯氨气(NH3)或NH3分压大于0.2的氨气(NH3)和氮气(N2)的混合气体气氛中吹扫所述生长反应器，
在使所述生长反应器中的压力保持为高于3kPa的第一压力的情况下，将所述生长反应器中的温度从所述第一温度升高至高于750℃的第二温度，
在所述第二温度下，将所述生长反应器减压至低于100Pa的第二压力，以及
通过供给二氯硅烷(SiH2Cl2)，在所述氮化物半导体层上沉积所述钝化膜，以及
通过在所述钝化膜内形成开口，并且在所述钝化膜的所述开口内沉积金属以便与所述氮化物半导体层接触，从而在所述氮化物半导体层上形成电极。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述吹扫生长反应器的步骤使用NH3和N2的混合气体吹扫所述生长反应器，其中所述混合气体的NH3分压大于0.6且小于1.0。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二温度低于900℃。
8.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一压力高于10kPa。
9.根据权利要求5所述的方法，其中所述沉积所述钝化膜的步骤沉积厚度为100nm的SiN膜。
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