[发明专利]一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置在审
| 申请号： | 201810229806.6 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110310893A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤a)，提供半导体衬底；步骤b)，在所述半导体衬底上形成鳍式结构；步骤c)，在所述鳍式结构上形成横跨所述鳍式结构的虚拟栅极；步骤d)，刻蚀所述鳍式结构的位于所述虚拟栅极两侧的部分至所述半导体衬底的顶表面；步骤e)，在所述顶表面上沉积底部隔离层；步骤f)，在所述底部隔离层上外延生长源区和漏区。本发明形成平面式的环绕式栅极金属氧化物半导体(GAA MOS)是3端结构，源区和漏区与体硅衬底完全隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 鳍式结构 衬底 半导体 底部隔离层 电子装置 虚拟栅极 顶表面 漏区 源区 氧化物半导体 外延生长 完全隔离 栅极金属 环绕式 平面式 刻蚀 体硅 沉积 制作 横跨 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤a)，提供半导体衬底；步骤b)，在所述半导体衬底上形成鳍式结构；步骤c)，在所述鳍式结构上形成横跨所述鳍式结构的虚拟栅极；步骤d)，刻蚀所述鳍式结构的位于所述虚拟栅极两侧的部分至所述半导体衬底的顶表面；步骤e)，在所述顶表面上沉积底部隔离层；步骤f)，在所述底部隔离层上外延生长源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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