[发明专利]一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a)，提供半导体衬底；

步骤b)，在所述半导体衬底上形成鳍式结构；

步骤c)，在所述鳍式结构上形成横跨所述鳍式结构的虚拟栅极；

步骤d)，刻蚀所述鳍式结构的位于所述虚拟栅极两侧的部分至所述半导体衬底的顶表面；

步骤e)，在所述顶表面上沉积底部隔离层；

步骤f)，在所述底部隔离层上外延生长源区和漏区。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤f)之后，还包括以下步骤：

步骤g)，在所述虚拟栅极之间沉积层间介质，并研磨所述层间介质；

步骤h)，去除所述虚拟栅极和所述虚拟栅极下方的部分所述鳍式结构；

步骤i)，在去除的所述虚拟栅极和所述虚拟栅极下方的部分所述鳍式结构的位置形成高K金属栅，所述高K金属栅环绕所述鳍式结构的未被去除的部分，以形成环绕式栅极结构。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述鳍式结构包括多个堆迭的材料层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述多个堆迭的材料层包括硅锗层和/或硅层。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述硅锗层和所述硅层从下至上依次堆迭，在步骤h)中，去除的是位于所述硅层下面的所述硅锗层。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述鳍式结构之后，所述虚拟栅极形成之前，还包括在所述鳍式结构的顶面和侧面形成氧化物的步骤。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述虚拟栅极之后，还包括在所述虚拟栅极的两侧形成间隙壁的步骤。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括在所述半导体衬底的表面上形成有隔离材料层的步骤。

9.一种根据权利要求1至8之一所述的方法制备得到的半导体器件。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求9所述的半导体器件。