[发明专利]指纹识别芯片的封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201810084191.2 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198791A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60;G06K9/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种指纹识别芯片的封装结构及封装方法，封装结构包括：指纹识别芯片；封装材料层，包覆指纹识别芯片，包括第一面及相对的第二面，第一面显露指纹识别芯片正面；第一重新布线层，第一重新布线层与指纹识别芯片的正面连接；通孔，形成于封装材料层中，通孔显露第一重新布线层；第二重新布线层，形成于通孔及封装材料层的第二面，第二重新布线层与第一重新布线层电性连接；以及金属凸块，形成于第二重新布线层上。本发明采用扇出型封装指纹识别芯片，具有成本低、厚度小、良率高的优点；本发明同时不需要打线工艺，也不需要高成本的硅穿孔工艺，只需在封装材料层中穿孔，大大降低了工艺难度及成本。 | ||
| 搜索关键词： | 指纹识别芯片 重新布线层 封装材料层 封装结构 通孔 第二面 封装 显露 扇出型封装 打线工艺 电性连接 工艺难度 金属凸块 硅穿孔 穿孔 包覆 良率 | ||
【主权项】：
1.一种指纹识别芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：指纹识别芯片；封装材料层，包覆所述指纹识别芯片，所述封装材料层包括第一面及相对的第二面，所述第一面显露所述指纹识别芯片正面；第一重新布线层，形成于所述封装材料层的第一面，所述第一重新布线层与所述指纹识别芯片的正面连接；通孔，自所述封装材料层的第二面形成于所述封装材料层中，所述通孔显露所述第一重新布线层；第二重新布线层，形成于所述通孔及所述封装材料层的第二面，所述第二重新布线层与所述第一重新布线层电性连接；以及金属凸块，形成于所述第二重新布线层上。
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