[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201810035168.4 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN110047813B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 马瑞吉;林家辉;杨国裕 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件，其主要包含一第一栅极线以及一第二栅极线沿着一第一方向延伸、一第三栅极线沿着一第二方向延伸并设于第一栅极线以及第二栅极线之间以及一漏极区域设于第三栅极线一侧，其中第三栅极线包含一第一突出部且该第一突出部重叠漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：第一栅极线以及第二栅极线，沿着一第一方向延伸；第三栅极线以及第四栅极线，沿着该第一方向延伸并设于该第一栅极线以及该第二栅极线之间；以及第五栅极线以及第六栅极线，沿着一第二方向延伸，其中该第五栅极线以及该第六栅极线设于该第一栅极线以及该第二栅极线之间并交错该第三栅极线以及该第四栅极线。
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