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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成电路元件及其制作方法-CN202010447437.5有效
发明人：马瑞吉;杨国裕;林家辉;张竹君 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路元件及其制作方法，其中该集成电路元件包含：一基底；一集成电路区域，位于所述基底上，所述集成电路区域包含一介电堆叠；一密封环，设于所述介电堆叠中，并环绕于所述集成电路区域周围；一沟槽，环绕所述密封环，并显露出所述介电堆叠的一侧壁；一湿气阻隔层，连续的覆盖所述集成电路区域，并延伸至所述介电堆叠的所述侧壁，从而密封所述介电堆叠中的两个相邻介电膜之间的交界；以及一钝化层，位于所述湿气阻隔层上。
集成电路元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件-CN201810018449.9有效
发明人：马瑞吉;林家辉;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其主要包含：一第一栅极结构设于一基底上；一第一漏极区域具有第一导电型式设于第一栅极结构一侧；一源极区域具有第一导电型式设于第一栅极结构另一侧以及一第一基体掺杂区具有第二导电型式设于源极区域内并同时位于部分第一栅极结构下方。
半导体元件

[发明专利]具有气隙的半导体结构-CN202010078703.1有效
发明人：徐庆斌;王志荣;张竹君;杨国裕;林家辉;马瑞吉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明公开一种具有气隙的半导体结构，包含介电堆叠，包含第一介电层，设于基底上、第二介电层，设于第一介电层上，以及第三介电层，设于第二介电层上；第一导电层，设于介电堆叠内；第二导电层，设于介电堆叠内，且与第一导电层区隔开，其中第一导电层和第二导电层位于同一平面上；以及类十字形气隙，设于介电堆叠内，且位于第一导电层和第二导电层之间；以及氧化层，设置在类十字形气隙内的第二介电层的侧壁上。
有气半导体结构

[发明专利]半导体元件-CN202110275091.X有效
发明人：马瑞吉;林家辉;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包含第一栅极线与第二栅极线仅沿着第一方向延伸、第三栅极线与第四栅极线沿着第一方向延伸并设于第一栅极线与第二栅极线之间，第五栅极线与第六栅极线沿着第二方向延伸，以及多个第一接触插塞设于第一栅极线上。其中第五栅极线以及第六栅极线设于第一栅极线以及第二栅极线之间并交错第三栅极线及第四栅极线，第一方向垂直于第二方向且第一栅极线与第二栅极线接触第五栅极线与第六栅极线。
半导体元件

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202210954362.9在审
发明人：马瑞吉;林家辉;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一凹槽以及一第二凹槽于一基底内，然后形成一衬垫层于第一凹槽以及第二凹槽内，形成一第一图案化掩模于该基底上并覆盖第二凹槽，去除第一凹槽内的衬垫层，去除第一图案化掩模，之后再形成一绝缘层于第一凹槽以及第二凹槽内以形成一陷捕隔离结构于第一凹槽内以及一深沟槽隔离结构于第二凹槽内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法-CN202010248845.8有效
发明人：马瑞吉;杨国裕;林家辉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法，其中该具有散热结构的高电阻晶片包含一高电阻晶片以及一金属结构，高电阻晶片分为一散热结构区和一元件承载区，高电阻晶片由一绝缘材料组成，金属结构仅埋入于高电阻晶片的散热结构区，其中金属结构环绕元件承载区。
具有散热结构电阻晶片及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201711474311.1有效
发明人：马瑞吉;林家辉;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一凹槽以及一第二凹槽于一基底内，然后形成一衬垫层于第一凹槽以及第二凹槽内，形成一第一图案化掩模于该基底上并覆盖第二凹槽，去除第一凹槽内的衬垫层，去除第一图案化掩模，之后再形成一绝缘层于第一凹槽以及第二凹槽内以形成一陷捕隔离结构于第一凹槽内以及一深沟槽隔离结构于第二凹槽内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810686366.7有效
发明人：马瑞吉;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基底、双极结晶体管、第一内连线结构与第二内连线结构。基底具有彼此相对的第一面与第二面。双极结晶体管位于基底的第一面。双极结晶体管包括集极、基极与射极。集极设置在基底中。基极设置在基底上。射极设置在基极上。第一内连线结构位于基底的第一面，且电连接至基极。第二内连线结构位于基底的第二面，且电连接至集极。第一内连线结构更延伸至基底的第二面。第一内连线结构与第二内连线结构分别在基底的第二面电连接至外部电路。上述半导体结构可具有较佳的整体效能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体元件-CN202010959203.9在审
发明人：林恒庆;曾裕腾;张竹君;杨国裕;林家辉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其主要包含一栅极结构设于基底上，其中栅极结构包含一主分支沿着第一方向延伸于基底上以及一次分支沿着第二方向延伸于该主分支旁。半导体元件另包含第一掺杂区依据上视角度重叠该主分支以及该次分支以及第二掺杂区重叠该第一掺杂区。
半导体元件

[发明专利]具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法-CN201811105431.9有效
发明人：马瑞吉;杨国裕;林家辉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法，该具有散热结构的高电阻晶片包含一高电阻晶片以及一金属结构，高电阻晶片分为一散热结构区和一元件承载区，高电阻晶片由一绝缘材料组成，金属结构仅埋入于高电阻晶片的散热结构区，其中金属结构环绕元件承载区。
具有散热结构电阻晶片及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810018793.8有效
发明人：马瑞吉;林家辉;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其制作半导体元件的方法是，主要先形成一金属氧化物半导体晶体管于一基底上，然后形成一第一层间介电层于金属氧化物半导体晶体管上，去除部分第一层间介电层以形成一凹槽于金属氧化物半导体晶体管旁，之后再形成一陷阱结构于该凹槽内。
半导体元件及其制作方法

[实用新型]一种轨道交通车辆车体总成-CN202022081796.1有效
发明人：谭旺有;谢凯;杨国裕;赵宏宇;张可可;侯建芬;谈建宏;胡济超 -专利权人：中车广东轨道交通车辆有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种轨道交通车辆车体总成，其包括：工装主结构，所述工装主结构包括横梁模块、导轨模块及横梁推进模块；支撑立柱模块包括安装在所述横梁模块上的支撑底座，所述支撑底座纵向安装有立柱，所述立柱上部放置有支撑铝块；底架拉紧模块包括固定在地面上的固定底板，所述固定底板上固定有拉钩；侧窗拉紧模块，所述侧窗拉紧模块包括安装在所述横梁模块上表面的底座，所述底座上设置有条形孔，拉紧器通过插销穿过所述条形孔与所述底座连接；所述拉紧器固定安装有侧窗拉钩；所述侧窗拉钩卡装有侧窗铝块；通过以上操作后，可以实现不同车型快速切换，减小了企业的制造成本、时间成本及资源浪费。
一种轨道交通车辆车体总成

[发明专利]半导体元件-CN202110265888.1在审
发明人：马瑞吉;林家辉;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其主要包含一第一栅极线以及一第二栅极线沿着一第一方向延伸、一第三栅极线沿着一第二方向延伸并设于第一栅极线以及第二栅极线之间以及一漏极区域设于第三栅极线一侧，其中第三栅极线包含一第一突出部且该第一突出部重叠漏极区域。
半导体元件

[发明专利]半导体元件-CN201810035168.4有效
发明人：马瑞吉;林家辉;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件，其主要包含一第一栅极线以及一第二栅极线沿着一第一方向延伸、一第三栅极线沿着一第二方向延伸并设于第一栅极线以及第二栅极线之间以及一漏极区域设于第三栅极线一侧，其中第三栅极线包含一第一突出部且该第一突出部重叠漏极区域。
半导体元件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202010333470.5在审
发明人：马瑞吉;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基底、互补式金属氧化物半导体元件与双极结晶体管。互补式金属氧化物半导体元件包括设置在基底上的N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管。双极结晶体管包括集极、基极与射极。集极设置在基底中。基极设置在基底上。射极设置在基极上。NMOS晶体管的通道的顶面、PMOS晶体管的通道的顶面与双极结晶体管的集极的顶面等高。上述半导体结构可具有较佳的整体效能。
半导体结构及其制造方法

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