[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780087194.5 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN110326102B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 坂本健 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 特征在于，具备：引线框架，其具有上表面和下表面；半导体芯片，其固定于该引线框架的该上表面；第1树脂，其与该引线框架的该下表面接触；以及第2树脂，其设置于该第1树脂之上。该第1树脂和该第2树脂接触。该第1树脂和该第2树脂的材料是以该第1树脂的导热率比该第2树脂的导热率高的方式选择的。而且，通过该第1树脂和该第2树脂覆盖该半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：引线框架；半导体芯片，其固定于所述引线框架的上表面；第1树脂，其与所述引线框架的下表面接触；以及第2树脂，其设置于所述第1树脂之上，所述第1树脂与所述第2树脂相比导热率高，通过所述第1树脂和所述第2树脂覆盖所述半导体芯片。
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