[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序在审
| 申请号： | 201780086010.3 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN110268506A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 出贝求;中谷公彦;芦原洋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C16/455;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供对于具有不同材质的表面的基板使膜选择性良好地选择性生长的技术。解决的手段是：具有(a)对于在表面形成有第一金属膜和与所述第一金属膜相比培养时间长的绝缘膜的基板，交替供给含金属气体和反应气体，从而在所述基板上形成第二金属膜的工序，和(b)对于所述基板供给蚀刻气体，将在所述绝缘膜上形成的第二金属膜除去，而使在所述第一金属膜上形成的所述第二金属膜残留的工序，交替重复(a)和(b)，从而使得所述第二金属膜在所述第一金属膜上选择性生长。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 基板 选择性生长 绝缘膜 基板处理装置 半导体装置 含金属气体 表面形成 反应气体 基板供给 交替供给 交替重复 膜选择性 蚀刻气体 残留 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，具有(a)对于在表面形成有第一金属膜和与所述第一金属膜相比培养时间长的绝缘膜的基板，交替供给含金属气体和反应气体，在所述基板上形成第二金属膜的工序，和(b)对于所述基板供给蚀刻气体，将在所述绝缘膜上形成的第二金属膜除去，而使在所述第一金属膜上形成的所述第二金属膜残留的工序，交替重复(a)和(b)，从而使得所述第二金属膜在所述第一金属膜上选择性生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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