[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201780075779.5 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110050349B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 竹内有一;铃木龙太;永冈达司;青井佐智子 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在保护环部中，通过在n |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，其具有单元部和包含将所述单元部的外周包围的保护环部的外周部，其中，在所述单元部及所述外周部中具备：第1或第2导电型的基板(1)；第1导电型的漂移层(2)，该第1导电型的漂移层(2)形成于所述基板的表面侧，且设定为比所述基板低的杂质浓度；和第1导电型的电流分散层(2a)，该第1导电型的电流分散层(2a)形成于所述漂移层上，且设定为比所述漂移层高的杂质浓度，在所述单元部中具备立式的半导体元件，所述半导体元件具有：以条纹状形成于所述电流分散层上的第2导电型层(5)，与所述第2导电型层电连接的第1电极(9)，和与所述基板的背面侧电连接的第2电极(11)，在所述第1电极与所述第2电极之间流过电流，在所述保护环部中，具备从所述电流分散层的表面形成并且设定为将所述单元部包围的多个框形状的线状的第2导电型的保护环(21)，通过在所述保护环部中形成所述电流分散层比所述单元部凹陷的凹部(20)，从而构成在所述基板的厚度方向上所述单元部与所述保护环部相比突出的岛状的台面部，从所述台面部与所述凹部的边界位置朝向所述台面部的外周侧，在所述漂移层的表层部中具备设定为比所述保护环低的杂质浓度的第2导电型的电场缓和层(40)。
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