[发明专利]绝缘栅双极型晶体管器件、半导体器件的生产方法以及绝缘栅双极型晶体管器件的生产方法在审
| 申请号： | 201780075503.7 | 申请日： | 2017-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN110036488A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 大村一郎;佐藤克己;末代知子 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人九州工业大学;三菱电机株式会社;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L21/82;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种高性能且量产性高的绝缘栅双极型晶体管器件等。在绝缘栅双极型晶体管器件中，作为多个沟槽构造，至少具有沟槽栅极、第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽，第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽是相邻的沟槽构造，沟槽栅极连接于栅极，第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽连接于发射极，而没有连接于栅极，第一导电型源极层也形成于第一虚设沟槽以及第二虚设沟槽之间。 | ||
| 搜索关键词： | 虚设 绝缘栅双极型晶体管 沟槽构造 沟槽栅极 半导体器件 导电型源 沟槽连接 发射极 量产性 极层 生产 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管器件，具备第一主电极层、第二主电极以及控制电极，该器件还具备：第一导电型第一半导体层；第一导电型第二半导体层，其形成于所述第一导电型第一半导体层的所述第一主电极层侧；第二导电型第一半导体层，其形成于所述第一导电型第二半导体层与所述第一主电极层之间；第二导电型第二半导体层，其形成于所述第一导电型第一半导体层的所述第二主电极侧；第一导电型第三半导体层，其选择性地形成于所述第二导电型第二半导体层的所述第二主电极侧；以及多个槽构造，其从所述第二导电型第二半导体层或者所述第一导电型第三半导体层的所述第二主电极侧的表面突出到所述第一导电型第一半导体层，所述槽构造具有：由半导体物质形成的导电物质区域；和绝缘膜，其形成于所述导电物质区域的所述第二主电极侧的表面以外的表面，作为多个所述槽构造，至少具有主控制槽构造、第一伪槽构造以及第二伪槽构造，在所述第一伪槽构造和所述第二伪槽构造之间没有其它所述槽构造，作为所述主控制槽构造所具有的所述导电物质区域的主控制导电物质区域连接于所述控制电极，在与所述主控制槽构造相邻的第一导电型第三半导体层的表面形成的第一电极和在与所述主控制槽构造相邻的第二导电型第二半导体层的表面形成的第二电极连接于所述第二主电极，作为所述第一伪槽构造所具有的所述导电物质区域的第一伪导电物质区域连接于所述第二主电极，而没有连接于所述控制电极，作为所述第二伪槽构造所具有的所述导电物质区域的第二伪导电物质区域连接于所述第二主电极，而没有连接于所述控制电极，所述第一导电型第三半导体层还形成于所述第一伪槽构造与所述第二伪槽构造之间。
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