[发明专利]多芯片结构的半导体器件及使用其的半导体模块有效
| 申请号： | 201780066704.0 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109906507B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 林宪用;张喆相;金容民 | 申请（专利权）人： | 硅工厂股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/065;H01L25/11;H01L23/12;H01L21/78;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了多芯片结构的半导体器件和使用该多芯片结构的半导体器件的半导体模块。诸如源极驱动器的单元芯片配置成具有多芯片结构的半导体器件，使得增加单元芯片的安装密度，并且单元芯片的输入焊盘和输出焊盘具有相同的结构或不同的结构，从而通过多种选择来增加安装密度。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 结构 半导体器件 使用 半导体 模块 | ||
【主权项】：
1.多芯片结构的半导体器件，包括：第一单元芯片，在所述第一单元芯片中形成第一输入焊盘和第一输出焊盘；第二单元芯片，在所述第二单元芯片中形成第二输入焊盘和第二输出焊盘；以及划片道，所述划片道位于所述第一单元芯片与所述第二单元芯片之间，其中，所述半导体器件以半导体封装的形式形成，在所述半导体封装中，所述第一单元芯片、所述划片道和所述第二单元芯片沿所述第一单元芯片的长边的纵向方向在相同的半导体衬底上彼此连接。
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