[发明专利]半导体装置以及电力变换装置有效
| 申请号： | 201780056129.6 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109743882B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 原田启行;原田耕三;盐田裕基;山口义弘;山田浩司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/10;H01L23/24;H01L23/28;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/18;H02M7/48 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板(52)，在上表面和下表面具有导体层(51、53)，在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4)；底板(1)，与下表面的导体层(53)接合；壳体部件(2)，包围绝缘基板(52)，被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面；作为硅组合物的第一填充材料(9)，被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域；以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10)，在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部，该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 电力 变换 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板，在上表面和下表面具有导体层，在所述上表面的所述导体层搭载有半导体元件；底板，与所述下表面的所述导体层接合；壳体部件，包围所述绝缘基板，被粘接于所述底板的接合有所述下表面的所述导体层的面；作为硅组合物的第一填充材料，被填充于由所述底板和所述壳体部件包围的区域；以及作为比所述第一填充材料硬的硅组合物的第二填充材料，在所述区域内的所述第一填充材料的下部包围所述绝缘基板的周缘部，被填充于从所述底板起的高度比所述上表面高且比所述上表面的所述导体层的与所述半导体元件的接合面低的区域。
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