[实用新型]一种扇出型晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 201721827868.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207624689U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 吕娇;仇月东;吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构，至少包括：重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的金属凸块，所述金属凸块与所述重新布线层电连；形成于所述重新布线层上表面的非导电柔性层；倒置于所述非导电柔性层上表面的至少一个芯片，所述芯片与所述金属凸块键合电连线路穿过所述非导电柔性层；形成于所述非导电柔性层上表面且封装所述芯片的塑封层。由于本实用新型的非导电柔性层在压力下具有形变的功能，因此，当在所述非导电柔性层上键合多个不同类型、不同高度的芯片时，在向下的压力下，所述非导电柔性层会产生形变，使嵌在其中的金属凸块暴露出，从而可以采用同一工艺一次将所有的芯片与各自对应的金属凸块进行键合电连，不需要分开进行工艺操作，大大简化了工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 非导电 柔性层 金属凸块 重新布线层 上表面 芯片 电连 键合 晶圆级封装结构 本实用新型 扇出型 形变 工艺操作 同一工艺 塑封层 封装 穿过 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述结构至少包括：重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的金属凸块，所述金属凸块与所述重新布线层电连；形成于所述重新布线层上表面的非导电柔性层；倒置于所述非导电柔性层上表面的至少一个芯片，所述芯片与所述金属凸块键合电连线路穿过所述非导电柔性层；形成于所述非导电柔性层上表面且封装所述芯片的塑封层。
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