[实用新型]一种扇出型晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 201721827868.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207624689U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 吕娇;仇月东;吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非导电 柔性层 金属凸块 重新布线层 上表面 芯片 电连 键合 晶圆级封装结构 本实用新型 扇出型 形变 工艺操作 同一工艺 塑封层 封装 穿过 暴露 | ||
【权利要求书】：
1.一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述结构至少包括：
重新布线层；
形成于所述重新布线层上表面的金属凸块，所述金属凸块与所述重新布线层电连；
形成于所述重新布线层上表面的非导电柔性层；
倒置于所述非导电柔性层上表面的至少一个芯片，所述芯片与所述金属凸块键合电连线路穿过所述非导电柔性层；
形成于所述非导电柔性层上表面且封装所述芯片的塑封层。
2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述结构还包括形成于所述重新布线层的下表面的焊球。
3.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括介质层及形成于所述介质层中的至少一层金属布线层，其中，所述金属凸块与所述金属布线层电连。
4.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述非导电柔性层包括聚合物或胶中的一种。
5.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述芯片包括半导体芯片和电子元件中的至少一种；其中，所述半导体芯片包括：
表面具有金属焊盘的晶圆；
形成于所述晶圆表面并暴露出所述金属焊盘的钝化层，其中，所述焊盘与所述金属凸块键合电连。
6.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于：所述塑封层包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。
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