[实用新型]一种扇出型晶圆级封装结构

说明书

本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构，至少包括：重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的金属凸块，所述金属凸块与所述重新布线层电连；形成于所述重新布线层上表面的非导电柔性层；倒置于所述非导电柔性层上表面的至少一个芯片，所述芯片与所述金属凸块键合电连线路穿过所述非导电柔性层；形成于所述非导电柔性层上表面且封装所述芯片的塑封层。由于本实用新型的非导电柔性层在压力下具有形变的功能，因此，当在所述非导电柔性层上键合多个不同类型、不同高度的芯片时，在向下的压力下，所述非导电柔性层会产生形变，使嵌在其中的金属凸块暴露出，从而可以采用同一工艺一次将所有的芯片与各自对应的金属凸块进行键合电连，不需要分开进行工艺操作，大大简化了工艺。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种扇出型晶圆级封装结构。

背景技术

随着集成电路制造业的快速发展，人们对集成电路的封装技术的要求也不断提高，现有的封装技术包括球栅阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SiP))等。其中，圆片级封装(WLP)由于其出色的优点逐渐被大部分的半导体制造者所采用，它的全部或大部分工艺步骤是在已完成前工序的硅圆片上完成的，最后将圆片直接切割成分离的独立器件。圆片级封装(WLP)具有其独特的优点：①封装加工效率高，可以多个圆片同时加工；②具有倒装芯片封装的优点，即轻、薄、短、小；③与前工序相比，只是增加了引脚重新布线(RDL)和凸点制作两个工序，其余全部是传统工艺；④减少了传统封装中的多次测试。因此世界上各大型IC封装公司纷纷投入这类WLP的研究、开发和生产。

扇出型晶圆级封装(Fan-out wafer level packaging，FOWLP)由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，在移动设备厂商等制造商中，具有较高的关注度。扇出型晶圆级封装目前最适合高要求的移动/无线市场，并且对其它关注高性能和小尺寸的市场，也具有很强的吸引力。

现有技术中，扇出型晶圆级封装一般包括如下步骤：首先在载体表面依次形成粘合层、重新布线层；然后在重新布线层表面涂布形成一固化层，然后对固化层进行光刻机刻蚀等通工艺，在固化层中形成通孔，之后在通孔中填充凸块；再将多个芯片与凸块键合；最后去除载体及粘合层，进行植球回流工艺。但是，如果与凸块键合的芯片是不同类型、不同高度的半导体芯片和电子元件，由于固化层是经过固化后形成的一层硬质层，再在固化层中形成凸块，这种工序及结构将导致需要不同的工艺来对不同类型、不同高度的半导体芯片及电子元件分别进行键合，工艺复杂。

因此，提供一种新的扇出型晶圆级封装结构是本领域技术需要解决的课题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种扇出型晶圆级封装结构，用于解决现有技术中芯片键合工艺复杂的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构，所述结构至少包括：

重新布线层；

形成于所述重新布线层上表面的金属凸块，所述金属凸块与所述重新布线层电连；

形成于所述重新布线层上表面的非导电柔性层；

倒置于所述非导电柔性层上表面的至少一个芯片，所述芯片与所述金属凸块键合电连线路穿过所述非导电柔性层；

形成于所述非导电柔性层上表面且封装所述芯片的塑封层。

作为本实用新型扇出型晶圆级封装结构的一种优化的方案，所述结构还包括形成于所述重新布线层的下表面的焊球。

作为本实用新型扇出型晶圆级封装结构的一种优化的方案，所述重新布线层包括介质层及形成于所述介质层中的至少一层金属布线层，其中，所述金属凸块与所述金属布线层电连。