[实用新型]一种太阳能电池薄膜

摘要

本实用新型一种太阳能电池薄膜，包括基板、金属层、透明导电层和半导体层，所述基板设置在最底层，所述基板上自下而上依次通过胶合连接有金属层、透明导电层和半导体层，所述金属层为交织的铜丝制成，本实用新型的半导体层选用GaAs、CuInSe2和CdTe中一种或多种成分组成，GaAs属于III‑V族化合物半导体层，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，CuInSe2材料的能降为1.1 eV，适于太阳光的光电转换，另外，CuInSe2材料不存在光致衰退问题，而且具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，CdTe是Ⅱ‑Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，性能很稳定，最适合于光电能量转换。

主权项

1.一种太阳能电池薄膜，包括基板（1）、金属层（3）、透明导电层（4）和半导体层（5），其特征在于：所述基板（1）设置在最底层，所述基板（1）上自下而上依次通过胶合连接有金属层（3）、透明导电层（4）和半导体层（5），所述金属层（3）为交织的铜丝制成，所述半导体层（5）选用GaAs、CuInSe2、CdTe中一种，所述基板（1）内设有加强层（2），所述加强层（2）为波浪结构。